Физические основы микроэлектроники. Часть 2. Ханин С.Д - 12 стр.

UptoLike

Составители: 

М П
Уровень электрона в вакууме
Ф
1
Е
с
Ф
2
Е
f
Е
f
Е
v
а)
М П/п п-типа
М п/п п-типа
Ψ
°
Ф
2
Ф
1
Ψ
°
Е
с
Е
f
Е
v W
б) в)
Рис. 4. Энергетическая схема контакта металл-полупроводник в случае формирования
барьера Шоттки (Ф
1
<
Ф
2
, полупроводник п-типа): аэнергетические диаграммы
изолированных металла и полупроводника; бэнергетическая диаграмма металл-
полупроводник через воздушный промежуток при установлении термодинамического
равновесия; вэнергетическая диаграмма плотного контакта металл-полупроводник, где
Е
f
уровень Ферми, Е
С
нижний край зоны проводимости; Е
v
потолок валентной зоны
12