Физические основы микроэлектроники. Часть 2. Ханин С.Д - 20 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Рис.7. Инжекция дырок из широкозонного полупроводника р-типа в узкозонный

полупроводник n-типа при прямом смещении p-n-гетероперехода

При протекании через гегеропереход прямого тока обнаруживается

явление электролюминесценции, обусловленное процессом излучательной

рекомбинации. Поскольку имеет место односторонняя инжекция

неравновесных носителей заряда в узкозонный полупроводник, в спектре

электролюминесценции гетероперехода доминирует полоса излучения ћω = Е

(Е

- ширина запрещенной зоны узкозонного полупроводника).

При воздействии на гетеропереход излучения, как и в случае р-n-

гомоперехода, имеет место фотоэффект, обусловленный пространственным

разделением возбужденных светом неравновесных носителей заряда в поле

объемного заряда. При освещении гетероперехода со стороны широкозонного

полупроводника в узкозонном полупроводнике поглощаются фотоны с

энергией, удовлетворяющей условию Е

< ћω < Е

. Широкозонный

полупроводник служит в этом случае окном, прозрачным для света,

поглощаемого в узкозонном слое, и защищает область генерации

неравновесных электронно-дырочных пар от рекомбинационных потерь на

поверхности.

Получение резких гетеропереходов возможно лишь при совпадении

типа ориентации и периода кристаллических решеток контактирующих

полупроводников. Так, периоды решеток должны совпадать с точностью до

0,1%. Кроме того, в идеальном гетеропереходе граница раздела должна быть