Физические основы микроэлектроники. Часть 2. Ханин С.Д - 3 стр.

UptoLike

Составители: 

ОБЩИЕ УКАЗАНИЯ
Вторая часть лабораторных работ по дисциплине «Физические основы
микроэлектроники» выполняется студентами 3 курса в течение шестого
семестра. Лабораторные работы 6, 7, 8, 9, 10 охватывают современные вопросы
физики и основы функционирования микроэлектронных систем, включая
физические явления в металл-диэлектрических композициях (работа 6),
явления на контактах металл-полупроводник и диоды Шоттки (работа 7),
полупроводник-полупроводник (работа 8) и свойства контакта металл-
диэлектрик-полупроводник (работа 9).
Тематика лабораторных работ включает не только изучение физических
явлений в элементах микроэлектроники, но и методы их диагностики,
например, исследование коэффициента низкочастотного шума в
полупроводниковых диодах и интегральных схемах (работа 10). Даются
представления о кинетических деградационных процессах, ограничивающих
срок службы микроэлектронных приборов.
Все экспериментальные данные и результаты расчета необходимо
записывать в черновик отчета и предъявлять преподавателю после окончания
работы.
ЛИТЕРАТУРА
1. Аморфные и поликристаллические полупроводники/Пер. с нем. под
ред. Ю.Д. Чистякова.- М.: Мир, 1987.- 170 с.
2. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учеб. для
вузов: 5-е изд., испр. – СПб.: Лань, 2001.- 480 с.
3. Бугаев А.А., Захарченя Б.П. Фазовый переход металл-полупроводник и
его применение.-М.: Наука, 1979.
4. Харитонов Е.В. Диэлектрические материалы с неоднородной
структурой.- М.: Радио и связь, 1983.
3