Физические основы микроэлектроники. Часть 2. Ханин С.Д - 32 стр.

UptoLike

Составители: 

1. Краткое описание исследуемых образцов.
2. Схема измерительной установки, краткое описание и назначение
оборудования.
3. Таблицы измерений и графики зависимостей К
Ш
от приложенного к диоду
напряжения.
4. Выводы по работе.
Содержание
Общие указания …………………………………………………… 3
Литература……………………………………………………………… 3
Лабораторная работа 6. Фазовый переход диэлектрик-металл…….4
Лабораторная работа 7. Физические явления на контакте
металл-полупроводник……………………………………………………………10
Лабораторная работа 8. Физические явления на гетеропереходе
полупроводник-полупроводник…………………………………………………..16
Лабораторная работа 9. Поверхностно-чувствительные явления в
структурах металл-диэлектрик-полупроводник. Вольт-фарадные
характеристики МДП-структур……………………... …………………………. 22
Лабораторная работа 10. Исследование коэффициента
низкочастотного шума в полупроводниковых диодах и микросхемах ………28
32