Физические основы микроэлектроники. Часть 2. Ханин С.Д - 29 стр.

UptoLike

Составители: 

становится очевидным, существенный вклад дислокаций в такие шумы. В
литературе приводятся многочисленные экспериментальные факты
максимального увеличения шума при наибольшем рассеивании тока, когда
направление тока перпендикулярно пространственному заряду дислокаций.
Если же направление тока носителей заряда параллельно пространственному
заряду, то рассеивание меньше, а уровень шума снижается в четыре раза.
На рис. 10 представлена схема расположения дислокационных трубок
пространственного заряда в кристалле. В зависимости от направления к ним
тока носителей зарядов стрелками указано изменение подвижности зарядов
(µ) и удельного сопротивления (ρ). Сила тока в материале с дислокациями
описывается следующим выражением:
(
)()
ε
ε
qIJJ
S
=
0
,
где - ток в объеме материала с дислокациями;
S
J
0
J
- ток в объеме материала без дислокаций;
()
ε
q
- фактор искажения электрического поля, вызванный
дислокациями, учитывающий направление тока по отношению к
пространственному заряду;
ε
- доля объема материала, занятая пространственным зарядом
дислокаций, определяемая как (где - радиус цилиндра
1
2
dR
πε
=
R
пространственного заряда дислокации, - плотность дислокаций).
1
d
Рис.10. Протекание тока в кристалле перпендикулярно пространственным зарядам
дислокаций
29
Шумовой ток пропорционален току в образце в степени n 2: