Составители:
Рубрика:
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 10
ИССЛЕДОВАНИЕ КОЭФФИЦИЕНТА НИЗКОЧАСТОТНОГО ШУМА В
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДАХ И МИКРОСХЕМАХ
I. Цель работы
1. Оценить вклад структурных дефектов в электронные шумы
полупроводниковых приборов.
2. Познакомиться с одним из методов измерения низкочастот-
ного шума на дискретных элементах и микросхемах.
II. Содержание работы
1. Измерение шумовых характеристик полупроводниковых диодов с
помощью узкополосного аналогового фильтра методом сравнения.
2. Расчет коэффициента низкочастотного шума исследуемых приборных
структур.
3. Определение зависимости коэффициента низкочастотного
шума от прикладываемого к диоду напряжения.
Ш. Основные теоретические положения
Пространственный заряд, создаваемый дислокацией, оказывает большое
влияние на перенос носителей зарядов. Число электронов, захваченных на
единицу длины дислокации, может изменяться непрерывно. При высоких
температурах дислокации проявляют себя как рекомбинационные центры, а
при низких температурах как центры захвата /2/.
28
Поскольку электронные шумы в полупроводниках объясняются
флуктуациями (изменением) числа электронов при протекании генерационно-
рекомбинационных (ГР) процессов на соответствующих локальных уровнях, то
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 26
- 27
- 28
- 29
- 30
- …
- следующая ›
- последняя »
