Составители:
Рубрика:
1. Снять вольт-фарадную характеристику образца № I МДП-структуры.
Общее число точек на вольт-фарадной характеристике должно быть не менее
10.
2. Снять вольт-фарадную характеристику образца № 2 МДП-структуры с
отличной технологией окисления кремния.
V. Обработка результатов измерений
В каждой точке рассчитать величину емкости МДП-структуры по формуле:
(
)
1
22
1/2
−
−⋅⋅= VERfС
π
,
где f — измерительная частота (10
6
Гц); R = 1500 Ом ;
Е - напряжение на выходе источника (В);
\/ - измеренное вольтметром напряжение (В).
Y1. Содержание отчета
1. Краткое описание исследуемых образцов.
2. Схема измерительной установки.
3. Таблица с результатами расчета емкости МДП-структуры в зависимости от
приложенного к ней напряжения постоянного тока для образцов №I и №2.
4. Совмещенные графики вольт-фарадных характеристик С =f(Е) образца № I
и образца №2.
5. Определение относительной плотности поверхностных состояний на
границе Si-Si0
2
в образцах №I и №2. Гипотетические соображения
относительно технологии окисления кремния в образцах № I и №2.
6. Технологические рекомендации по получению МДП-структур с низкой
плотностью поверхностных состояний.
7. Краткие выводы.
Литература: [2], с.301-328.
27
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 25
- 26
- 27
- 28
- 29
- …
- следующая ›
- последняя »
