Составители:
Рубрика:
Величина эффективной диэлектрической проницаемости полу-
проводниковой керамики с МЗС может на порядок превышать
ε тра-
диционных материалов, используемых для изготовления конденсато-
ров 2-го типа, достигая значений 100000 - 150000.
В табл. 4 представлены данные, позволяющие сравнить характе-
ристики различных типов конденсаторных структур на основе полу-
проводниковой сегнетокерамики.
Таблица 4
Характеристики конденсаторов 3-го типа
Конденса-
торная
структура
Максимальная
удельная
емкость,
мкФ/см
3
tgδ
Сопротив-
ле-ние изо-
ляции при
U=U
н
, Ом
U
н,
В
Груп-
па по
ТСЕ
С барьерным
слоем
2,0
0,05-
0,1
10
6
- 10
7
3,2
Н50
Реоксидиро-
ванного типа
0,8
0,05-
0,1
10
7
-10
9
10 - 50
Н30,
Н50,
Н90
С межзерно-
выми слоями
0,8
0,05-
0,1
10
8
-10
9
10 - 63
Н70
При изготовлении керамических конденсаторов используются,
главным образом, две базовые конструкции - однослойные конденса-
39
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 37
- 38
- 39
- 40
- 41
- …
- следующая ›
- последняя »