Составители:
Рубрика:
3. КОНДЕНСАТОРЫ С ОКСИДНЫМ ДИЭЛЕКТРИКОМ
Диэлектриком конденсаторов этого класса являются тонкие ок-
сидные пленки Ta
2
O
5
, Al
2
O
3
и Nb
2
O
5
, формируемые на поверхности
соответствующего металла, используемого в качестве одной из обкла-
док конденсатора – анода, методом электрохимического оксидирова-
ния и называемые анодными оксидными пленками (АОП). По величи-
не диэлектрической проницаемости АОП уступают многим керамиче-
ским материалам: на частоте 1 кГц у Ta
2
O
5
ε = 27,6; у Al
2
O
3
ε = 8,5; у
Nb
2
O
5
ε = 41,4. Тем не менее оксидные конденсаторы, реализующие
емкость в системе металл - оксид металла - катодный материал, обла-
дают рекордно высокими значениями удельной емкости и удельного
заряда. Своим преимуществом они обязаны сочетанию малой (суб-
микронной , микронной) толщины диэлектриков, обладающих при
этом высокой электрической прочностью, и особенностям конструк-
ции - специально развитой поверхности анода и использованию ка-
тодного материала, обеспечивающего эффективную реализацию в ем-
кости площади оксидированного анода.
Наличие оксидных конденсаторов, рассчитанных на рабочие на-
пряжения от 1,6 до 500 В и емкость от единиц микрофарад до 1,3 Ф,
обусловливает широкое применение оксидных конденсаторов в
фильтрах источников электропитания, цепях развязки и т.п.
В зависимости от катодного материала конденсаторы с оксидным
диэлектриком подразделяются на электролитические (алюминиевые
К50- и танталовые К52-) и оксидно-полупроводниковые (К53-).
43
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 41
- 42
- 43
- 44
- 45
- …
- следующая ›
- последняя »
