Составители:
Рубрика:
Особое место занимают оксидно-металлические и оксидно-
полупроводниковые конденсаторы интегральных схем, изготовленные
с применением методов пленочной технологии.
Развитие поверхности с целью увеличения площади поверхности
анода осуществляется одним из двух способов.
В первом варианте анод представляет собой объемно-пористое
тело, получаемое посредством высокотемпературного нагрева заго-
товки из порошка металла в вакуумированной камере. Частицы метал-
ла при этом спекаются, что обеспечивает необходимую механиче-
скую прочность анода. Образующиеся во всем объеме анода поры по-
вышают реализуемую в емкости площадь поверхности диэлектрика,
которая может составлять квадратные метры в расчете на 1 см
3
объе-
ма.
После оксидирования анода его поры заполняют проводящим ка-
тодным материалом - жидким электролитом (водным раствором сер-
ной кислоты в танталовых конденсаторах типа К52- и растворами на
основе этиленгликоля, диметилформамида, смеси γ-бутиролактона и
N-метилпирролидона и др. в алюминиевых конденсаторах К50-) или
твердофазным полупроводником (диоксид марганца, а в последние
годы и органическим полупроводником в конденсаторах К53-). Полу-
проводниковый диоксид марганца получают путем термического раз-
ложения (пиролиза) раствора нитрата марганца при Т ≈ 300
о
С.
Конструкция оксидно-электролитического конденсатора с объ-
емно-пористым анодом показана на рис. 17.
Второй вариант анода конденсатора представляет собой травле-
ную металлическую фольгу. Технология электрохимической обработ-
44
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 42
- 43
- 44
- 45
- 46
- …
- следующая ›
- последняя »
