Составители:
Рубрика:
I
инж
- инжекционный ток в диэлектрике, обусловленный постав-
кой неравновесных носителей заряда в диэлектрик из электродов.
Относительный вклад указанных составляющих в общий ток
различен для разных типов оксидных конденсаторов и зависит от ус-
ловий их нагружения.
В случае хорошо сформированного оксидного слоя, при его
анодной поляризации в контакте с неинжектирующим катодным ма-
териалом (электролитом, двуокисью марганца) величина тока I
ут
оп-
ределяется главным образом проводимостью оксидного слоя, то есть
второй составляющей в правой части формулы. Установлено, что от-
ветственным за электрическую проводимость анодных оксидов танта-
ла и ниобия является прыжковый электронный перенос, осуществ-
ляемый посредством термически активированных перескоков носите-
лей заряда между разновалентными катионами основы, создающими
в запрещенной зоне диэлектрика глубокие локализованные состояния.
Фактором первого порядка, влияющим на электронную прово-
димость, является степень отклонения состава оксидного соединения
от стехиометрического. В стехиометрическом оксиде с повышенной
концентрацией низковалентных (с непредельной степенью окисле-
ния) катионов основы плотность и степень заполнения локализован-
ных состояний увеличиваются, что приводит к экспоненциально
сильному росту электронной проводимости. Установленные законо-
мерности процессов электропереноса показали возможности улуч-
шения токовых характеристик посредством уменьшения концентра-
ции дефектов нестехиометрии в окисном слое.
Практически такую возможность удалось реализовать в техно-
логии производства конденсаторов легированием анодного оксида
55
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 53
- 54
- 55
- 56
- 57
- …
- следующая ›
- последняя »
