ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
9
а) с фиксированным током базы без стабилизации рабочей точки:
б) с коллекторной стабилизацией точки покоя;
в) с эмиттерной стабилизацией точки покоя.
1.2. Если в схеме (Рис 3.в) биполярный транзистор заменить
эквивалентной схемой для h – параметров, то получится эквивалентная
схема каскада с ОЭ (Рис. 4)
Как видно из рисунка, в схеме отсутствуют разделительные
конденсаторы С
р и конденсатор эмиттерной цепи Сэ, это связано с тем,
что уже в области нижних частот диапазона усиления они обладают
малыми сопротивлениями, которые при анализе можно не учитывать.
Эквивалентная схема усилителя позволяет рассчитать основные
показатели каскада: К
I
, K
U
, K
p
, R
вх
, R
вых
и к.п.д. усилителя.
Рис. 4. Эквивалентная схема усилительного
каскада с общим эмиттером
В эквивалентной схеме транзистора в h – параметрах величина
параметра h
12Э
очень мала, и этим параметром обычно пренебрегают, при
анализе работы усилителя можно не учитывать генератор напряжения
h
12Э
U
вых
(цепь закоротить).
1.3. Выбор типа транзистора
Для резисторного каскада транзистор выбирают в соответствие с
заданными параметрами: напряжения питания Е
к, его полярности,
верхней граничной частоте f
В
и величине входного напряжения U
вх
.
- По напряжению питания усилителя находим U
кэmах
- наибольшее
допустимое напряжение на коллекторе транзистора:
8,0
max
K
КЭ
E
U ≥
10
- Полярность напряжения питания определит структурный тип
транзистора: n-p-n при положительном значении Е
к и p-n-p при
отрицательном.
- Граничная частота передачи тока базы f
В
должна более чем в 5 раз
превышать заданную верхнюю частоту усилителя fв. f
В
≥ 5⋅ fв
-Величина (сигнала) входного напряжения U
вх
должна быть в несколько
раз меньше U
БЭП
– напряжения точки покоя для режима класса «А»,
(Рис. 2а) U
БЭП
≥(2÷5) U
вх
Поставленным требованиям будут удовлетворять несколько
транзисторов, поэтому при выборе типа транзистора необходимо
ориентироваться на их наличие в розничной торговле, наличие в
справочниках статических характеристик.
Параметры транзистора заносятся в таблицу 2.
Таблица 2
Основные параметры биполярного транзистора
Тип
транзистора
структура
U
кmах
I
кmах
В(h
21Э
) P
кmax
f
В
h
11Э
(r
вх
)
h
22Э
(
К
r
1
)
С
к
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Параметры, указанные в столбце 8 и 9 таблицы:
- h
11Э
=rвх - входное сопротивление транзистора по схеме с 0Э;
- h
22Э
=
К
r
1
–проводимость коллекторного перехода; чаще всего не
приводятся в справочниках, поэтому при наличии статических
характеристик эти параметры определяются по характеристикам.
- Статическое характеристики транзисторов даются только в
специализированных справочниках, причем не во всех справочниках и не
для всех транзисторов дается входная характеристика, но графо –
аналитический расчет усилительного каскада с ОЭ можно провести имея
только выходную статическую характеристику транзистора. Если же
статических характеристик для данного транзистора не находится, есть
два варианта: экспериментально снять статические характеристики или
провести чисто аналитический расчет, но уже менее точно.
1.4 Графо – аналитический расчет режима работы транзистора по
постоянному току и расчет элементов схемы.
Зная значение
вхБЭП
UU )52( ÷
=
, по входной характеристике
транзистора определяем I
БП
– ток базы покоя. Если входная
характеристика отсутствует, то можно воспользоваться значением
а) с фиксированным током базы без стабилизации рабочей точки: - Полярность напряжения питания определит структурный тип
б) с коллекторной стабилизацией точки покоя; транзистора: n-p-n при положительном значении Ек и p-n-p при
в) с эмиттерной стабилизацией точки покоя. отрицательном.
- Граничная частота передачи тока базы fВ должна более чем в 5 раз
1.2. Если в схеме (Рис 3.в) биполярный транзистор заменить превышать заданную верхнюю частоту усилителя fв. fВ ≥ 5⋅ fв
эквивалентной схемой для h – параметров, то получится эквивалентная -Величина (сигнала) входного напряжения Uвх должна быть в несколько
схема каскада с ОЭ (Рис. 4) раз меньше UБЭП – напряжения точки покоя для режима класса «А»,
Как видно из рисунка, в схеме отсутствуют разделительные (Рис. 2а) UБЭП≥(2÷5) Uвх
конденсаторы Ср и конденсатор эмиттерной цепи Сэ, это связано с тем, Поставленным требованиям будут удовлетворять несколько
что уже в области нижних частот диапазона усиления они обладают транзисторов, поэтому при выборе типа транзистора необходимо
малыми сопротивлениями, которые при анализе можно не учитывать. ориентироваться на их наличие в розничной торговле, наличие в
Эквивалентная схема усилителя позволяет рассчитать основные справочниках статических характеристик.
показатели каскада: КI, KU, Kp, Rвх, Rвых и к.п.д. усилителя. Параметры транзистора заносятся в таблицу 2.
Таблица 2
Основные параметры биполярного транзистора
Тип структура Uкmах Iкmах В(h21Э) Pкmax fВ h11Э(rвх) h ( 1 ) Ск
транзистора 22Э
rК
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Параметры, указанные в столбце 8 и 9 таблицы:
- h11Э =rвх - входное сопротивление транзистора по схеме с 0Э;
1
- h22Э= –проводимость коллекторного перехода; чаще всего не
rК
Рис. 4. Эквивалентная схема усилительного приводятся в справочниках, поэтому при наличии статических
каскада с общим эмиттером характеристик эти параметры определяются по характеристикам.
- Статическое характеристики транзисторов даются только в
В эквивалентной схеме транзистора в h – параметрах величина специализированных справочниках, причем не во всех справочниках и не
параметра h12Э очень мала, и этим параметром обычно пренебрегают, при для всех транзисторов дается входная характеристика, но графо –
анализе работы усилителя можно не учитывать генератор напряжения аналитический расчет усилительного каскада с ОЭ можно провести имея
h12Э Uвых (цепь закоротить). только выходную статическую характеристику транзистора. Если же
статических характеристик для данного транзистора не находится, есть
1.3. Выбор типа транзистора два варианта: экспериментально снять статические характеристики или
Для резисторного каскада транзистор выбирают в соответствие с провести чисто аналитический расчет, но уже менее точно.
заданными параметрами: напряжения питания Ек, его полярности,
верхней граничной частоте f В и величине входного напряжения Uвх. 1.4 Графо – аналитический расчет режима работы транзистора по
- По напряжению питания усилителя находим Uкэmах - наибольшее постоянному току и расчет элементов схемы.
допустимое напряжение на коллекторе транзистора: Зная значение U БЭП = (2 ÷ 5)U вх , по входной характеристике
E транзистора определяем IБП – ток базы покоя. Если входная
U КЭ max ≥ K
0,8 характеристика отсутствует, то можно воспользоваться значением
9 10
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- …
- следующая ›
- последняя »
