Электроника. Расчет, монтаж и испытание резисторного каскада усиления. Хаптаев А.П. - 6 стр.

                          U БЭП                                                                         RБ2=(URЭ+UБЭП)/ IG
                      I =
h11Э (rББ)=rвх, тогда БП h
                           11Э

      Ток делителя IG в базовой цепи выбирается в 5÷10 раз больше тока         Сопротивление резистора Rδ1 определяется по формуле:
базы транзистора, при этом ток базы практически не меняется. Такое
соотношение между токами определяется требованиями эмиттерной                                     RБ1=(Ек - URЭ - UБЭП)/( IG +IБП)
стабилизации режима покоя.
      Ток базы покоя IБП определяет значение Iкп и Uкэп, но для этого       Емкости разделительных конденсаторов Ср1=Ср2 определяются из
вначале надо построить на выходных характеристиках транзистора              условия:
статическую нагрузочную прямую.                                                                       1     Rв X
                                                                                                          ≅
      Уравнение нагрузочной прямой связывает между собой выходной                                   ωНС р    10 ,
ток Iк и напряжение на коллекторе UКЭ с напряжением питания ЕК; при          где:
этом нагрузкой по постоянному току в цепи коллектора будут                  ω н - нижняя круговая частота рабочего диапазона, равная ω н = 2πƒн;
резистивные сопротивления Rк и RЭ, поэтому Uкэ=Ек-Iк(Rк+Rэ)
                                                                            Rвх –входное сопротивление каскада, которое согласно эквивалентной
      Так как Rк>>Rэ, уравнение прямой можно записать так: Uкэ=Ек - Iк⋅Rк
                                                                            схеме усилительного каскада (рис.4), будет равно:
      Построение этой прямой на выходных характеристиках не                                                                        −1
представляет труда, т.к. она проходит через две точки:                                                      1     1      1 
                                                                                                    RвX =     +      +      
                                                       ΕΚ                                                    R
                                                                                                            Б1   R      h11Э 
                    1. Iк=0, Uкэ=Ек и 2. Uк=0, Ι Κ =
                                                 '                                                                  Б2
                                                       RΚ                   Тогда
   Так как значение ЕК задано, то значение Ι , а значит Rк, необходимо
                                              '
                                                                                                             10          10
                                              Κ
                                                                                                   CP =             =
определить, исходя из требований получения максимальной амплитуды                                         ω н ⋅ Rв Х 2π f Н Rв X
выходного тока и линейности режима усиления. Для выполнения первого
требования Ι Κ можно увеличивать вплоть до 0,8⋅Iкmax, но не более. Для
             '
                                                                               Емкость конденсатора Сэ, шунтирующего Rэ на переменном токе,
выполнения второго условия выходная характеристика, соответствующая                                   1     RЭ
значению IБП, должна пересекать нагрузочную прямую на середине и при        определится из условия: ω С ≅ 10 ,
                                                                                                     Н Э
             Ι 'к                                                           Тогда
этом I КП ≈ h .                                                                                            10        10
             11Э
                                                                                                    CЭ =          =
     Расчет элементов схемы.                                                                             ω Η ⋅ R Э 2π f Н R Э
Рассчитываем сопротивление резистора в цепи эмиттера Rэ. Для этого
прежде всего зададимся падением напряжения на нем: URэ=γ⋅Εκ, где
γ=0,05÷0,2 – глубина отрицательной обработкой связи по постоянному          1.5. Общие рекомендации по выбору резисторов и конденсаторов.
току (глубина температурной стабилизации режима работы транзистора)              Маломощные (мощность рассеивания до 2Вт включительно)
                                    U     U                                 постоянные       резисторы      рекомендуется      выбирать       из
                             R Э = RЭ ≈ RЭ
                                     Ι ЭП  Ι κп                             металлодиэлектрических резисторов общего назначения с предельными
Рассчитаем коллекторное сопротивление Rк.                                   отклонениями от номинальных значений 5%(ряд Е24) или 10%(ряд Е12)
                             Е                  Ε                               Применение резисторов с меньшими отклонениями и, следовательно
                    Rк − Rэ = ' к , откуда R к = ' к − Rэ                   более точных, технически и экономически нецелесообразно. Все серийно
                              Ιк                 Ιк                         выпускаемые резисторы имеют стандартизированные значения
   Возьмем ток делителя – IG =5⋅IБП, тогда сопротивление резистора Rδ2      сопротивлений, образующих ряд номинальных сопротивлений. Поэтому
делителя RБ2 RБ1
                                   11                                                                            12