ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
72
Это достигается, например, выполнением пола в виде
проводящей эквипотенциальной поверхности F (рис. 3.10, а),
соединение приборов массивными проводниками РА (рис. 3.10,б) или
же экранированием сигнальных линий с заземлением экранов
Рис. 3.10. Снижение гальванического влияния при помощи заземленной
плоскости (а) или массивного проводника РА, соединяющего точки
заземлений приборов G1 и G2 (б)
у обоих концов , а также уменьшением тока I
st
. Для этого существует
ряд возможностей. Одной из них является| разделение контуров зазем-
ления, например прибора G1 (рис. 3.11, а). Однако при этом между сиг-
нальным контуром и корпусом прибора остается емкостная связь Z
c
. В
3.11. Гальваническое влияние через разомкнутую петлю заземлений:
а
-
схема
устройства
;
б
-
схема
,
поясняющая
формирование
напряжений
помехи
st
U .
этом случае (рис. 3.11) возникает напряжение помехи
CL
L
QS
S
st
ZZ
Z
ZZ
Z
UU
++
≈
12
При
∞==
C
Zf
;0
и
0=
st
U
, а при
0; →∞→
C
Zf
и
)/(
12
QSSst
ZZZUU
+=
. Это означает, что эффективная защита возможна
лишь при постоянном напряжении и низких частотах. При высоких
частотах петля заземления практически замкнута, ситуация может быть
такой же, какая показана на рис. 3.9.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 70
- 71
- 72
- 73
- 74
- …
- следующая ›
- последняя »
