ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
73
3.3. Емкостное влияние
Причиной емкостного влияния могут быть паразитные, т.е. не-
устранимые схемным путем, емкости между проводами или проводя-
щими предметами, принадлежащими разным токовым контурам. Прак-
тический интерес представляют следующие случаи:
-влияющий и испытывающий влияние контуры гальванически
разделены;
-оба контура имеют общий провод системы опорного потенциала;
-провода токового контура имеют большую емкость относительно
земли.
3.3.1. Гальванически разделенные контуры
На рис. 3.12,а показана упрощенная модель емкостного влияния.
Предполагается, что длина контура
l
мала по сравнению с длиной вол-
ны самой высокой учитываемой частоты. Система проводников 1,2
принадлежит к влияющему контуру, а 3, 4 - контуру, испытывающему
влияние. Соответствующие элементы
SQ
RR
,
и
12
C
образуют полное со-
противление
i
Z
влияющего контура (рис. 3.12, б), а элементы
SQ
RR
,
и
34
C
- полное сопротивление Z контура, испытывающего емкостное вли-
яние.
Рис. 3.12. Емкостное влияние между гальванически разделенными
контурами
:
а
-
модель
влияния
;
б
-
схема
замещения
;
в
-
модель
влияния
при
экранировании
обоих
контуров
;
г
-
схема
замещения
при
наличии
экранов
Отсюда нетрудно заметить, что напряжение помехи U
st
равно
нулю, если соблюдается условие симметрии:
24142313
//
CCCC
=
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 71
- 72
- 73
- 74
- 75
- …
- следующая ›
- последняя »
