Лептоны космического излучения. Практикум по физике космических лучей. Ильина Н.П - 55 стр.

UptoLike

Фотоумножители также обладают линейной
характеристикой в широком диапазоне напряжения
питания. Амплитуда на выходе ФЭУ может быть
определена из соотношения:
.
00
C
kb
E
C
ekn
C
Q
F
e
ε
α
===
Здесь - число электронов, вылетающих с
фотокатода при вспышке, - заряд электрона,
0
n
e
k
-
коэффициент усиления ФЭУ, Семкость анодной
цепи ФЭУ,
E
- энергия в эВ, потерянная в
сцинтилляторе заряженной частицей на ионизацию,
α
- световой выход фосфора, b- коэффициент,
учитывающий неполное собирание света на
фотокатоде,
e
ε
- эффективность фотокатода,
выраженная в числе фотоэлектронов на 1 эВ энергии
света. Энергия
E
, потерянная в сцинтилляторе
заряженной частицей, равна
(
)
xdxdE
ион
(
x
-
толщина слоя сцинтиллятора в гсм
-2
). Таким образом,
регистрируя на амплитудном анализаторе
распределение импульсов с выхода ФЭУ, мы получим
распределение энергии
E
, потерянной в
сцинтилляторе заряженной частицей. При этом
необходимо обеспечить постоянство величины пути
x
, проходимого частицей в сцинтилляторе, или, по
крайней мере, ограничить разброс его значений (это
достигается с помощью выбора соответствующей
геометрии установки). Разброс возможных значений
x
, шумы и флуктуации в ФЭУ приводят к
расширению кривой распределений флуктуаций
(рис. 3.2).
54
Фотоумножители      также  обладают   линейной
характеристикой в широком диапазоне напряжения
питания. Амплитуда на выходе ФЭУ может быть
определена из соотношения:

                 Q0 n0 ek    αbε e k
            F=     =      =E         .
                 C   C         C
Здесь n 0 - число электронов, вылетающих с
фотокатода при вспышке, e - заряд электрона, k -
коэффициент усиления ФЭУ, С – емкость анодной
цепи ФЭУ, E - энергия в эВ, потерянная в
сцинтилляторе заряженной частицей на ионизацию,
α - световой выход фосфора, b- коэффициент,
учитывающий неполное собирание света на
фотокатоде,   ε e - эффективность фотокатода,
выраженная в числе фотоэлектронов на 1 эВ энергии
света. Энергия E , потерянная в сцинтилляторе
заряженной частицей, равна (− dE dx )ион x ( x -
толщина слоя сцинтиллятора в г⋅см-2). Таким образом,
регистрируя     на     амплитудном       анализаторе
распределение импульсов с выхода ФЭУ, мы получим
распределение     энергии    E,     потерянной     в
сцинтилляторе заряженной частицей. При этом
необходимо обеспечить постоянство величины пути
 x , проходимого частицей в сцинтилляторе, или, по
крайней мере, ограничить разброс его значений (это
достигается с помощью выбора соответствующей
геометрии установки). Разброс возможных значений
 x , шумы и флуктуации в ФЭУ приводят к
расширению кривой распределений флуктуаций
(рис. 3.2).

                        54