ВУЗ:
Составители:
Фотоумножители  также  обладают  линейной 
характеристикой  в  широком  диапазоне  напряжения 
питания.  Амплитуда  на  выходе  ФЭУ  может  быть 
определена из соотношения: 
.
00
C
kb
E
C
ekn
C
Q
F
e
ε
α
===  
Здесь  -  число  электронов,  вылетающих  с 
фотокатода  при  вспышке,  -  заряд  электрона, 
0
n
e
k
- 
коэффициент  усиления  ФЭУ,  С – емкость  анодной 
цепи  ФЭУ, 
E
-  энергия  в  эВ,  потерянная  в 
сцинтилляторе  заряженной  частицей  на  ионизацию, 
α
-  световой  выход  фосфора, b- коэффициент, 
учитывающий  неполное  собирание  света  на 
фотокатоде, 
e
ε
-  эффективность  фотокатода, 
выраженная  в  числе  фотоэлектронов  на 1 эВ  энергии 
света.  Энергия 
E
,  потерянная  в  сцинтилляторе 
заряженной  частицей,  равна 
(
)
xdxdE
ион
−
 (
x
-
толщина слоя сцинтиллятора в г⋅см
-2
). Таким образом, 
регистрируя  на  амплитудном  анализаторе 
распределение импульсов с выхода ФЭУ, мы получим 
распределение  энергии 
E
,  потерянной  в 
сцинтилляторе  заряженной  частицей.  При  этом 
необходимо  обеспечить  постоянство  величины  пути 
x
,  проходимого  частицей  в  сцинтилляторе,  или,  по 
крайней  мере,  ограничить  разброс  его  значений (это 
достигается  с  помощью  выбора  соответствующей 
геометрии  установки).  Разброс  возможных  значений  
x
,  шумы  и  флуктуации  в  ФЭУ  приводят  к 
расширению  кривой  распределений  флуктуаций     
(рис. 3.2). 
54
Фотоумножители      также  обладают   линейной
характеристикой в широком диапазоне напряжения
питания. Амплитуда на выходе ФЭУ может быть
определена из соотношения:
                 Q0 n0 ek    αbε e k
            F=     =      =E         .
                 C   C         C
Здесь n 0 - число электронов, вылетающих с
фотокатода при вспышке, e - заряд электрона, k -
коэффициент усиления ФЭУ, С – емкость анодной
цепи ФЭУ, E - энергия в эВ, потерянная в
сцинтилляторе заряженной частицей на ионизацию,
α - световой выход фосфора, b- коэффициент,
учитывающий неполное собирание света на
фотокатоде,   ε e - эффективность фотокатода,
выраженная в числе фотоэлектронов на 1 эВ энергии
света. Энергия E , потерянная в сцинтилляторе
заряженной частицей, равна (− dE dx )ион x ( x -
толщина слоя сцинтиллятора в г⋅см-2). Таким образом,
регистрируя     на     амплитудном       анализаторе
распределение импульсов с выхода ФЭУ, мы получим
распределение     энергии    E,     потерянной     в
сцинтилляторе заряженной частицей. При этом
необходимо обеспечить постоянство величины пути
 x , проходимого частицей в сцинтилляторе, или, по
крайней мере, ограничить разброс его значений (это
достигается с помощью выбора соответствующей
геометрии установки). Разброс возможных значений
 x , шумы и флуктуации в ФЭУ приводят к
расширению кривой распределений флуктуаций
(рис. 3.2).
                        54
Страницы
- « первая
 - ‹ предыдущая
 - …
 - 53
 - 54
 - 55
 - 56
 - 57
 - …
 - следующая ›
 - последняя »
 
