ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Исакова О.П., Тарасевич Ю.Ю., 2007
36
ражении (2.2) (
a
W
B
k
= ). Используя это отношение, во второй колон-
ке задать выражение для энергии активации, вызвав диалоговое окно
Set Column Values (установить значение колонки).
Получить энергию активации можно было гораздо проще, используя
функциональные масштабы. Функциональные масштабы широко приме-
няются для представления функций в самых разнообразных случаях. На-
пример, логарифмический масштаб по оси ординат может быть полезен,
когда функция меняется на большом диапазоне. Функциональные масшта-
бы используют для визуальной проверки предполагаемой зависимости из-
меряемой величины от некоторого параметра. В нашем случае, например,
чтобы выяснить, какова зависимость логарифма сопротивления от обрат-
ной температуры, нужно в таблице данных выделить соответствующие ко-
лонки (
R
и
T
), отобразить на графике эту зависимость в виде точек
(рис.2.2). Как видно, прямая линия здесь не прослеживается.
300 310 320 330 340 350 360 370 380
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
R
T
R
Рис.2.2. Зависимость сопротивления полупроводника от температуры
Wa ражении (2.2) ( B = ). Используя это отношение, во второй колон- k ке задать выражение для энергии активации, вызвав диалоговое окно Set Column Values (установить значение колонки). Получить энергию активации можно было гораздо проще, используя функциональные масштабы. Функциональные масштабы широко приме- няются для представления функций в самых разнообразных случаях. На- пример, логарифмический масштаб по оси ординат может быть полезен, когда функция меняется на большом диапазоне. Функциональные масшта- бы используют для визуальной проверки предполагаемой зависимости из- меряемой величины от некоторого параметра. В нашем случае, например, чтобы выяснить, какова зависимость логарифма сопротивления от обрат- ной температуры, нужно в таблице данных выделить соответствующие ко- лонки (R и T), отобразить на графике эту зависимость в виде точек (рис.2.2). Как видно, прямая линия здесь не прослеживается. 2000 R 1800 1600 1400 1200 R 1000 800 600 400 200 300 310 320 330 340 350 360 370 380 T Рис.2.2. Зависимость сопротивления полупроводника от температуры Исакова О.П., Тарасевич Ю.Ю., 2007 36
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 34
- 35
- 36
- 37
- 38
- …
- следующая ›
- последняя »