Источники и приемники излучения - 31 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

Университет ИТМО | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

31
Лабораторная работа
"ИССЛЕДОВАНИЕ ИНДИКАТРИС ИЗЛУЧЕНИЯ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ"*
Цели работы
− изучить устройство и принцип действия полупроводниковых
излучающих диодов (ПИД);
− дать практические навыки по экспериментальному определе-
нию индикатрис источников излучения;
− изучить физические и конструктивные факторы, влияющие на
индикатрисы излучения ПИД;
− закрепить лекционный материал по курсу "Источники
и при-
емники излучения".
Краткие теоретические сведения
Принцип действия ПИД (светодиодов) основан на явлении элек-
тролюминесценции при протекании тока в структурах с p-n-
переходом. ПИД преобразуют электрическую энергию в энергию
излучения. При протекании тока через p-n-переход значительная часть
неосновных носителей заряда рекомбинирует, излучая при этом
фотоны. Вводимые в исходный материал
при создании p-n-перехода
примеси являются активаторами люминесценции.
Основными параметрами ПИД являются квантовая эффектив-
ность, мощность излучения (яркость), время нарастания и спада
импульса излучения, угол излучения. К основным характеристикам
ПИД относятся спектральная характеристика излучения, яркостная
характеристика, вольт-амперная характеристика, индикатриса излуче-
ния.
Спектр электролюминесценции определяется шириной запре-
щенной зоны исходного полупроводникового
материала и механиз-
мом рекомбинации.
Квантовая эффективность ⎯ это отношение числа испускае-
мых квантов к количеству прошедших через p-n-переход электронов.
Внутренняя квантовая эффективность определяется коэффициен-
том инжекции в область эффективной люминесценции и соотношени-
ем скоростей излучательной и безызлучательной рекомбинации.
Внешняя квантовая эффективность зависит также от формы
кристалла с p-n-переходом,
конструкции ПИД и от поглощения

Страницы