Источники и приемники излучения - 72 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

Университет ИТМО | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

72
Таким образом, потенциальные ямы должны быть разделены
потенциальными барьерами, препятствующими “перемешиванию”
зарядов как в процессе накопления, так и в процессе переноса. При
этом одну накопительную ячейку образуют три электрода, подклю-
чённые к различным управляющим шинам Ф1, Ф2 и Ф3.
Ф1
Ф2
Ф3
Потенциальная яма
ϕ
п
- потенциал на подложке
Ме
SiO
2
Si
0
ϕ
п
x
ϕ
Рис. 39. Формирование потенциальных ям для переноса зарядов
За счёт явления тепловой генерации носителей в течение време-
ни T
н
в каждой ячейке накапливается также определённый темновой
заряд Q
т
, который складывается с сигнальным зарядом Q
c
. Среднее
значение темнового заряда, накапливаемого в ячейке, определяется
выражением
QiAT
Т T эл н
=
,
где
i
Т
- средняя плотность темнового тока накопления заряда, харак-
терная для данного полупроводникового материала при рабочей
температуре кристалла;
A
эл
- площадь электрода, под которым
осуществляется накопление.
Вследствие неоднородности полупроводникового материала
значение
i
Т
не одинаково во всех точках поверхности кристалла, а
является случайной функцией пространственных координат x и y.
Поэтому накапливаемые за время T
н
темновые заряды будут различ-
ны в различных точках ФПЗС, и, следовательно, зарядовый рельеф Q
(x
i
,y
j
) , формируемый на этапе накопления, определяется не только
рельефом освещённости E (x,y) , но и случайным рельефом плотности
темновых токов. В конечном итоге это приводит к искажениям полез-
ного сигнала, формируемого ФПЗС. Величина искажений зависит от
соотношения сигнального и темнового зарядов.
Среднее квадратическое отклонение средних значений темно-

Страницы