Составители:
21
σ
ш.вн
2
= σ
т
2
+ σ
SS
2
+ σ
у
2
,
где σ
т
2
- дисперсия шума темнового тока; σ
SS
2
- дисперсия шума поверхностных
состояний; σ
у
2
- дисперсия шума выходного усилителя ФПЗС, выполненного на
одном кристалле с выходным регистром.
Дисперсия шума темнового тока [9]:
σ
т
2
= 2i
т.ср
A
эл
t
н
/ e
э
,
где i
т.ср
- средняя плотность темнового тока ФПЗС.
Дисперсия шума поверхностных состояний [15]:
σ
SS
2
= 2n
п
k T A
эл
N
SS
ln 2 ,
где k - постоянная Больцмана (см. табл. 1); T - термодинамическая температура
ФПЗС; N
SS
- плотность поверхностных состояний.
Дисперсия шума выходного усилителя ФПЗС [15]:
σ
у
2
= k T
ср
C / e
э
2
,
где C - ёмкость выходной цепи усилителя ФПЗС.
Длинноволновая граница спектральной чувствительности ПОИ на внутрен-
нем фотоэффекте [1,5,9]:
λ
гр
= hc / ΔE
з
,
где ΔE
з
- ширина запрещённой зоны.
Напряжение теплового шума фоторезистора [1,5,9]:
U
ш.т
= 4kTR f
т
Δ ,
где k - постоянная Больцмана (см. табл. 1); T - термодинамическая температура
фоторезистора; R
т
- темновое сопротивление фоторезистора; Δf - полоса
частот усилительного тракта.
Ток теплового шума нагрузочного сопротивления [1,5,9]:
I
ш.т
= 4
1
kTR f
н
−
Δ ,
где R
н
- сопротивление нагрузки.
Ток дробового шума ПОИ [1,5,9] :
I
ш.др
= 2
0
eI f
э
Δ ,
где I
0
- ток, протекающий через ПОИ.
Ток дробового шума фотоумножителя [1,5,9]:
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- …
- следующая ›
- последняя »