Составители:
22
I
ш.др
= 21
2
eI M B f
эк
()+Δ ,
где В - множитель, учитывающий влияние дробового эффекта динодов (см. табл.
1); I
к
- суммарный ток фотокатода; M - коэффициент усиления по току.
Суммарный ток шума фотоумножителя [1,5,9]:
I
ш
= II
ш.др ш.т
22
+ .
Максимально допустимое сопротивление нагрузки по постоянному току
фотоэлемента и фотодиода в фотодиодном режиме [1,5,9]:
R
н.max
= U
р
/ (I
т
+ S
I
Ф
max
) = U
р
/ (I
т
+ I
Ф.max
) ,
где U
р
- рабочее напряжение ПОИ; I
т
- темновой ток ПОИ; S
I
- токовая чувстви-
тельность; Ф
max
- максимальный поток, падающий на ПОИ; I
Ф.max
- максимальный
фототок.
Максимально допустимое сопротивление нагрузки по переменному току
фотодиода в фотодиодном режиме [1]:
Z
н.max
≈ U
р
/ I
т
.
Максимальная вольтовая чувствительность фотодиода в фото-
гальваническом режиме [1,5,9]:
S
U.max
≈
R
0
I
т
/ Ф при I
т
< I
ф
;
S
U.max
≈
R
0
S
I
при I
т
> I
ф
,
где R
0
- сопротивление p-n-перехода при нулевом напряжении;
R
0
= kT / (e
э
I
т
) .
Постоянная времени схемной релаксации ПОИ [1,5,9]:
τ
р
= R
н.max
C,
где C - ёмкость ПОИ.
Связь между вольтовой и токовой чувствительностью ПОИ [1,5,9]:
S
U
= S
I
R
н
,
где R
н
- сопротивление нагрузки.
Фототок в ПОИ [1,5,9] :
I
ф
= S
I
Ф ,
где S
I
- токовая чувствительность ПОИ.
Напряжение фотосигнала ПОИ [1,5,9]:
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 20
- 21
- 22
- 23
- 24
- …
- следующая ›
- последняя »