ВУЗ:
Рубрика:
2
Полевой транзистор (ПТ) содержит три полупроводниковые области
одного и того же типа проводимости, называемые соответственно исто-
ком, каналом и стоком, а также управляющий электрод – затвор.
В полевом транзисторе используется движение носителей заряда
только одного знака (основных носителей), которые из истока через канал
движутся в сток. Электрическое поле напряжения, приложенного между
затвором и истоком, изменяет проводимость канала и, следовательно, ток
через канал. Это управляющее током электрическое поле направлено пер-
пендикулярно движению носителей зарядов и может быть названо попе-
речным. Носители зарядов движутся в канале от истока к стоку под дейст-
вием продольного электрического поля, создаваемого напряжением между
стоком и истоком.
В данной
работе используется полевой транзистор с управляющим p-
n переходом и каналом n- типа, схематическое изображение которого при-
ведено на рисунке 1.
В полевых транзисторах с управляющим p-n переходом в качестве
затвора используется область противоположного типа проводимости по
отношению к каналу, образующая с ним p-n переход, который в рабочем
режиме имеет обратное включение. Напряжение на затворе изменяет
тол-
щину обедненного слоя управляющего p-n переход и тем самым изменяет
толщину проводящей части канала, а, следовательно, проводимость канала
и ток через него.
Полевые транзисторы различаются также по типу проводимости ка-
нала: транзисторы с каналом p- или n- типа.
Полевой транзистор (ПТ) содержит три полупроводниковые области
одного и того же типа проводимости, называемые соответственно исто-
ком, каналом и стоком, а также управляющий электрод – затвор.
В полевом транзисторе используется движение носителей заряда
только одного знака (основных носителей), которые из истока через канал
движутся в сток. Электрическое поле напряжения, приложенного между
затвором и истоком, изменяет проводимость канала и, следовательно, ток
через канал. Это управляющее током электрическое поле направлено пер-
пендикулярно движению носителей зарядов и может быть названо попе-
речным. Носители зарядов движутся в канале от истока к стоку под дейст-
вием продольного электрического поля, создаваемого напряжением между
стоком и истоком.
В данной работе используется полевой транзистор с управляющим p-
n переходом и каналом n- типа, схематическое изображение которого при-
ведено на рисунке 1.
В полевых транзисторах с управляющим p-n переходом в качестве
затвора используется область противоположного типа проводимости по
отношению к каналу, образующая с ним p-n переход, который в рабочем
режиме имеет обратное включение. Напряжение на затворе изменяет тол-
щину обедненного слоя управляющего p-n переход и тем самым изменяет
толщину проводящей части канала, а, следовательно, проводимость канала
и ток через него.
Полевые транзисторы различаются также по типу проводимости ка-
нала: транзисторы с каналом p- или n- типа.
2
