Электромагнитные колебания. Квантовая теория излучения. Иваницкая Ж.Ф. - 81 стр.

               Квантовая теория излучения


                 Лабораторная работа 1А

     Изучение зависимости силы фототока
 в полупроводнике от длины волны падающего
                    света

    Цель работы: изучение внутреннего фотоэффекта в полупро-
водниках.
    Приборы и принадлежности: лампа накаливания, монохрома-
тор, фоторезистор, оптический пирометр ОППИР.

                   1. Теоретическая часть

             Понятие о внутреннем фотоэффекте
                  и его характеристиках

    Внутренним или фоторезистивным фотоэффектом назы-
вается явление увеличения электропроводности полупроводников
под действием электромагнитного излучения. Впервые наблюда-
лось У. Смитом (США) у Se (селена) в 1873г.
    Рассмотрим собственные полупроводники. К ним относятся
химически чистые элементы IV, V и VI групп Периодической
системы элементов Менделеева, например Ge, Si, As, Se, и их
соединения InSb, GaAs и другие оксиды, сульфиды, селениды, а
также сплавы элементов различных групп. При температурах,
близких к абсолютному нулю их электроны связаны, полупровод-
ники ведут себя как изоляторы, с повышением температуры элек-
троны становятся свободными и электропроводность полупровод-
ников повышается.
    С позиций зонной теории валентная зона энергий собственных
полупроводников полностью заполнена электронами, ширина за-
прещенной зоны невелика (ΔWзапр. ≈ kT), здесь k – постоянная




                             81