Электромагнитные колебания. Квантовая теория излучения. Иваницкая Ж.Ф. - 82 стр.

UptoLike

Составители: 

82
Физика. Лабораторный практикум
Больцмана, равная 1,3810
-23
Дж
К
, Ткомнатная температура
(рис. 1а).
Под действием световых квантов с энергией
hν (hпостоян-
ная Планка, равная 6,62
10
-34
Дж с, νчастота) электронывы-
рываютсяи перебрасываются в свободную зону, при этом одно-
временно возрастает и число электронов в этой зоне и число дырок
в валентной зоне.
В примесных
nполупроводниках (рис. 1б) электроны под
действием квантов забрасываются с донорных уровней
dв сво-
бодную зону (электронная проводимость), а в примесных
pпо-
лупроводниках электроны забрасываются на акцепторные уровни
а” (рис.1 в), таким образом, растет количество свободных дырок
(дырочная примесная фотопроводимость). Эта концентрационная
фотопроводимость возникает только при
возбуждении достаточно
коротковолновым излучением (
λ=
ν
c
, здесь λ- длина волны, с
скорость света), когда энергии квантов достаточно для преодоле-
ния ширины запрещенной зоны (
собственная электропровод-
ность
), или расстояния между одной из зон и примесным уровнем
(
примесная фотопроводимость). Так как при активации образу-
ется одновременно и электрон и дырка, то энергия, затраченная
             Физика. Лабораторный практикум
                                    Дж
                              -23
Больцмана, равная   1,38⋅10          К , Т – комнатная температура
(рис. 1а).




    Под действием световых квантов с энергией hν (h – постоян-
ная Планка, равная 6,62⋅10-34 Дж⋅ с, ν – частота) электроны “вы-
рываются” и перебрасываются в свободную зону, при этом одно-
временно возрастает и число электронов в этой зоне и число дырок
в валентной зоне.
    В примесных n – полупроводниках (рис. 1б) электроны под
действием квантов забрасываются с донорных уровней “d” в сво-
бодную зону (электронная проводимость), а в примесных p – по-
лупроводниках электроны забрасываются на акцепторные уровни
“а” (рис.1 в), таким образом, растет количество свободных дырок
(дырочная примесная фотопроводимость). Эта концентрационная
фотопроводимость возникает только при возбуждении достаточно
                                         c
коротковолновым излучением (λ=             , здесь λ- длина волны, с –
                                         ν
скорость света), когда энергии квантов достаточно для преодоле-
ния ширины запрещенной зоны (собственная электропровод-
ность), или расстояния между одной из зон и примесным уровнем
(примесная фотопроводимость). Так как при активации образу-
ется одновременно и электрон и дырка, то энергия, затраченная

                                    82