Физико-химические основы РЭС. Иванов В.П - 22 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

На рис. 11.3 показана схема оптической системы МИИ-4. Свет от лампы 1 через
конденсор 2 попадает на полупрозрачную пластину 3, где разделяется на два пучка
лучей. Один, отражаясь, попадает в объектив 4 и фокусируется на поверхности объекта 5.
Отразившись от нее он через объектив 4 и промежуточную линзу 6 приходит в окуляр 7.
Второй пучок от конденсора 2 проходит через полупрозрачную пластину 3 и через
компенсатор 8 падает на эталонное зеркало 9 интерференционной головки. Отразившись
от него и вернувшись к полупрозрачной пластине, второй пучок лучей также приходит в
окуляр 7.
Для измерения толщины пленки образец надо положить на объектный столик
прибора слоем вниз.
Для фокусировки изображения пленки надо использовать микровинт на станине
прибора. При этом второй пучок (от эталонного зеркала) выключается поворотом ручки
шторки по часовой стрелке.
При достижении резкого изображения края пленки шторку открывают (ручка
против часовой стрелки) и в центре окуляра одновременно наблюдают картину
интерференции (рис. 11.4).
На краю пленки интерференционная картина сдвигается, что связано с изменением длины хода лучей, отраженных от
поверхностей подложки и пленки на величину толщины
δ
. Величину сдвига интерференционной картины следует
определить в долях от интервала между полосами.
При использовании белого света минимумы картины (темные полосы) окрашены в цвета радуги. Для измерений обычно
используют два первых минимума черного цвета.
Для этого надо повернуть окуляр МОВ-1 так, чтобы одна из его визирных линий стала параллельна
интерференционным полосам и, вращая барабанчик, совместить визир сначала с одним, а потом с другим минимумом,
последовательно снимая отчеты N
1
, N
2
, N
3
, N
4
(рис. 11.4).
Рассчитать толщину пленки по формуле
21
43
27,0
NN
NN
−
−
=δ
, мкм.
5 Все результаты измерений занести в табл. 11.1.
11.1 Измерение электропроводности тонких пленок
№ l, 10
–3
м B, 10
–3
м
δ, 10
–6
м
R, Ом
ρ, Ом ⋅ м lg ρ
6 Рассчитать удельное сопротивление металла тонкой пленки
7
l
b
R
δ
=ρ и lg
ρ.
Содержание отчета
1 Название и цель работы.
2 Схема тонкопленочного резистора.
3 Оптическая схема МИИ-4 и описание методики измерения толщины тонких пленок.
4 Таблица экспериментальных данных и кривая зависимости
lg p = f (δ ).
Контрольные вопросы
1 Стадии роста тонких пленок.
2 Методы получения тонких пленок.
3 Электропроводность тонких пленок.
4 Методика измерения толщины пленок методом интерференции.
5 Сопротивление квадрата пленки.
[10, с. 480 – 521]
Лаборатории работа № 12
ЭФФЕКТ ПОЛЯ. МДП-СТРУКТУРЫ
Цель работы: экспериментальное изучение "эффекта поля" на примере МДП-структуры.
Приборы и принадлежности: источник высокого напряжения РЕ-1, микроамперметр, источник тока ЛИПС 1-30,
полупроводниковая пластина.
Рис. 11.3 Схема оптической
системы микроинтерферометра
5
4
1
2
3 8 9
6
7

Страницы