Физико-химические основы РЭС. Иванов В.П - 24 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

микроамперметре).
5 Вращая шлиц "Peг. высокого напряжения", установить
начальное значение высокого напряжения на вольтметре прибора.
6 Подать высокое напряжение на МДП-структуру нажатием кнопки "Зарядка" на верхней панели прибора (на коробке
из оргстекла). Одновременно зарегистрировать максимальное отклонение на микроамперметре. Результаты измерения
занести в табл. 12.1.
12.1 Результаты измерений поверхностного заряда
Ток зарядки, мкА
U, В
I
1
I
2
I
3
I
4
I
5
I S
X
Q, Кл
C, ф
7 Подождать, когда напряжение на вольтметре восстановится, и повторить измерения. Произвести не менее 5
измерений при одном значении высокого напряжения. Результаты занести в табл. 12.1.
8 Изменить значение высокого напряжения и повторить измерения тока заряда для 6 – 7 значений высокого
напряжения U.
9 Рассчитать среднее значение тока и заряд Q по формуле (12.1).
10 Рассчитать значение емкости МДП-структуры по формуле C = Q / U.
11 Построить график вольт-фарадной зависимости С = f (U).
12 Зная, что на электрод подавался положительный потенциал, определить тип полупроводника.
Содержание отчета
1 Схема МДП-структуры.
2
Таблица с измерениями.
3
Вольт – фарадная характеристика МДП-структуры.
4
Тип полупроводника.
Контрольные вопросы
1 В чем заключается эффект поля.
2 Что такое поверхностные состояния?
3 Объяснить принцип работы МДП-структуры.
4 Нарисовать зонную структуру n- или p-полупроводника, на поверхности которого имеется электрический заряд.
[8, с. 250 – 254]
Лабораторная работа № 13
ИЗУЧЕНИЕ p-n-ПЕРЕХОДА
Цель работы: изучение p-n-перехода, ознакомление с работой полупроводникового диода, получение вольт-амперной
характеристики диода.
Приборы и оборудование: источник постоянного тока, полупроводниковый диод, осциллограф, соединительные провода.
МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ
Прогресс в развитии полупроводниковой электроники связан в основном с использованием контакта двухпримесных
полупроводников с различным типом проводимости. Такой контакт называют электронно-дырочным переходом или p-n
переходом. На практике p-n переход получают введением в примесный полупроводник дополнительной легирующей
примеси.
Рассмотрим схематически образование p-n перехода при соприкосновении двух полупроводников с различным типом
электропроводности (рис. 13.1). До соприкосновения в обоих полупроводниках электроны, дырки и неподвижные ионы
были распределены равномерно (рис. 13.1, а). При соприкосновении полупроводников в пограничном слое происходит
рекомбинация (воссоединение) электронов и дырок. Свободные электроны из зоны полупроводника n-типа занимают
свободные уровни в валентной зоне полупроводника р-типа. В результате вблизи границы двух полупроводников
образуется слой, лишенный подвижных носителей заряда и поэтому обладающий высоким электрическим сопротивлением,
так называемый запирающий слой (рис. 13.1, б). Толщина запирающего слоя обычно не превышает нескольких
микрометров.
р
Е
вн
п
ϕ
ϕ
к
l
l
p
n
Дырки Ионы Электроны

Страницы