Физико-химические основы РЭС. Иванов В.П - 26 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

5
Построить вольтамперную характеристику диода.
Содержание отчета
1 Название и цель работы.
2
Принципиальная схема установки.
3
Калька сигнала.
4
Вольтамперная характеристика на миллиметровой бумаге.
5
Таблица.
Контрольные вопросы
1 Что такое p-n-переход?
2
Что такое контактная разность потенциалов?
3
Методы получения p-n-переходов.
4
Что такое барьер Шоттки?
5
Выпрямляющие свойства p-n-перехода.
6
Что такое инжекция неосновных носителей зарядов?
7
Что такое пробой p-n-перехода?
[8, стр. 214 – 240]
Лабораторная работа № 14
ГЕТЕРОЭПИТАКСИЯ
Цель работы: изучить закономерности эпитаксиального роста тонких пленок из раствора.
Приборы и принадлежности: световой микроскоп, подложки из стекла и слюды, 5%-й спиртовой раствор йодистого калия.
Методические указания
Эпитаксия – это ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого. При этом решетка нарастающего
вещества строго определенно ориентируется относительно плоской сетки атомов на поверхности подложки. Эпитаксиальные
пленки имеют монокристаллическую структуру и низкую концентрацию дефектов. Это позволяет получить высокую
стабильность параметров микросхем и других элементов микроэлектроники, получаемых пленарной технологией.
Различают гетероэпитаксию, когда материалы нарастающей пленки и подложки различны (Si//Al
2
O
3
), и гомо- или
автоэпитаксию, когда они одинаковы (Si//Si). Разновидностью гетероэпитаксии можно назвать хемоэпитаксию, при которой
материал пленки образуется в результате химической реакции подложки с окружающей средой (SiO//Si).
Для гетероэпитаксии важнейшим условием является структурно-геометрическое соответствие кристаллов
наращиваемого слоя и подложки в плоскости роста [112] (111)Si//[1100](0001)Al
2
O
3
.
Эта структурная формула означает, что грань (111) кристалла кремния (решетка типа алмаза) нарастает на плоскость
(0001) Al
2
O
3
(типа корунд), являющуюся поверхностью подложки. Параллельны и направления в двух кристаллах – [112]
Si и [1100] корунда. Если сращиваемые вещества имеют близкие структурные типы и параметры решетки
o
А (разница не
больше 10 %), наблюдается явление псевдоизоморфизма – пленка имеет точно такую же структуру как и подложка: [100]
(100) Au // [100] (100) Ag. Однако с ростом толщины пленки упругие искажения, связанные с разницей параметров (для
золота а = 2,88
o
А , серебра а = 2,89
o
А ), увеличиваются. Поэтому при толщинах больше критической (для Au//Ag – 600
o
А )
после псевдоизоморфного переходного слоя будет собственная решетка золота.
Если разница параметров больше 10 %, сопрягаются наиболее плотно упакованные плоскости и направления кристалла
и подложки. При этом часть плоскостей в одной решетке не имеет продолжения в другой. Края таких оборванных
плоскостей образуют в переходном слое дислокации несоответствия.

Страницы