ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
6 Найти и зарисовать тройной стык субграниц 3 (рис. 3.1) и определить угол разориентировки со-
седних зерен θ.
Для малоугловой границы наклона справедлива формула Рида
θ = b / D,
где D – расстояние между дислокациями в субгранице; b – вектор Бюргерса краевой дислокации (для
NaCl b = 3,9 ⋅ 10
–10
м, для LiF b = 2,83 ⋅ 10
–10
м).
Содержание отчета
1 Название и цель работы.
2 Тип микроскопа, его характеристика, тип кристалла, состав травителя.
3 Методика определения плотности дислокаций и угла разориентировки субзерен.
4 Рисунки скоплений дислокаций и субграниц.
5 Результаты измерений и вывод о влиянии деформации на плотность дислокаций.
Контрольные вопросы
1 Классификация дефектов в кристаллах.
2 Что такое дислокация? Чем отличается винтовая дислокация от краевой? Что такое смешанная
дислокация?
3 Контур и вектор Бюргерса. Какую симметрию кристалла нарушают дислокации?
4 Как влияет плотность дислокаций на прочность и пластичность кристаллов?
5 Классификация границ зерен.
6 Дислокационная модель границы субзерен.
[4, с. 60 – 93]; [3, с. 297 – 336]
Лабораторная работа № 4
ОПРЕДЕЛЕНИЕ СКОРОСТИ ДВИЖЕНИЯ ДИСЛОКАЦИЙ
В КРИСТАЛЛАХ
Цель работы: ознакомиться с методикой определения скорости движения
дислокаций, разработанной Д. Гилманом. Определить экспери-
ментально скорость движения дислокаций в кристалле LiF.
Приборы и принадлежности: микроскоп, кристалл, реактив для выявления дислокаций.
Методические указания
Для определения скорости движения дислокаций необходимо воспользоваться методом двойного
травления дислокаций, разработанным Д. Гилманом и В. Джонстоном.
Сущность метода заключается в следующем. Поверхность кристалла, содержащего свежие дисло-
кации, подвергают химическому травлению, после которого на поверхности наблюдаются остроконеч-
ные ямки травления, соответствующие положению дислокаций.
Затем кристалл нагружают и проводят повторное травление поверхности. Дислокации при нагру-
жении кристалла начинают перемещаться и уходить со своих старых мест, отмеченных ямками травле-
ния. Новые положения дислокаций при повторном травлении будут отмечены вновь остроконечными
ямками. Старые ямки травления также будут растравливаться, но только в ширину и станут плоскодон-
ными (рис. 4.1).
Зная плоскости скольжения кристалла и направления сдвига в них, можно найти две ямки травле-
ния – остроконечную и плоскодонную, соответствующие положению одной дислокации до и после на-
гружения кристалла. (Для кристаллов LiF плоскости скольжения {110}, направления сдвига <110>).
Рис. 4.1 Ямки
травления, соот-
ветствующие
1
2
A
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »
