Физико-химические основы РЭС. Методическое пособие - 12 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

Для исследования динамических свойств дислокаций необходимы вновь образованные (свежие)
дислокации, на которых не успели осесть примесные атомы. Обычно свежие дислокации получают ло-
кальным деформированием поверхности кристалла (уколоть поверхность индентором ПМТ-3 или легко
царапнуть кристалл иглой). Движение дислокаций можно вызвать, сбросив кристалл с полусфериче-
ским наконечником на стальную наковальню с высоты 0,4 … 0,5 м. Время удара – время действия импуль-
са напряжения определяется из соотношения
El /2 γ=τ
, (4.1)
где l – длина кристалла с наконечником;
γ
= 2,295 ⋅ 10
–3
кг/см
3
– плотность кристаллов фтористого ли-
тия; Е = 2,41 ⋅ 10
6
кг/см
2
– модуль упругости. Так как размер наконечника мал по сравнению с общим
размером, то можно считать его выполненным из LiF. Это допущение вносит некоторую погрешность в
определение скорости движения дислокаций.
Порядок выполнения работы
1 Из крупных монокристаллов выколоть по плоскостям спайности {100} рабочие образцы. На од-
ной из боковых поверхностей образца ввести свежие дислокации несколькими легкими уколами кри-
сталла стальной иглой.
2 Провести первое травление поверхности в 5 %-oм водном растворе хлорного железа FеС1
3
, окуная
кристалл в бюкс с раствором на 25 … 30 с. После этого кристалл исследовать под микроскопом и удосто-
вериться, что дислокационная структура выявлена достаточно качественно.
3 Нагрузить кристалл ударным импульсом. Для этого к одному из торцов кристалла аккуратно
приклеить металлическую полусферу и сбросить кристалл наконечником вниз с высоты 0,4 … 0,5 м на
стальную наковальню.
4 После нагружения провести повторное травление кристалла, исследовать поверхность под микро-
скопом и зарисовать отмеченные участки.
5 Найти на поверхности кристалла несколько сместившихся дислокаций и определить пути их
пробега l. По формуле (4.1) определить время действия нагружающего импульса и рассчитать скорость.
Содержание отчета
1 Название и цель работы.
2 Тип микроскопа, его характеристика, использованные кристаллы, состав травителя.
3 Методика определения скорости движения дислокаций.
4 Рисунок дислокационных скоплений со старыми и новыми положениями дислокаций.
5 Результат измерений, средняя скорость движения дислокаций в кристалле при комнатной
температуре.
Контрольные вопросы
1 Какие процессы происходят в материале при пластической деформации?
2 Эстафетный механизм движения краевой дислокации.
3 Геометрия движения краевой и винтовой дислокации.
4 В чем сущность метода Гилмана определения скоростей движения дислокаций?
5 Механизм неконсервативного движения (восхождения) краевой дислокации.
[4, с. 60 – 93]; [3, с. 297 – 336]
Лабораторная работа № 5
ВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ НА МИКРОТВЕРДОСТЬ КРИСТАЛЛОВ
Цель работы: освоить методику измерения микротвердости монокристаллов. Изучить влияние облуче-
ния на микротвердость кристаллов-диэлектриков.

Страницы