ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
7
l
b
R
δ
=ρ
и lg ρ.
Содержание отчета
1 Название и цель работы.
2 Схема тонкопленочного резистора.
3 Оптическая схема МИИ-4 и описание методики измерения толщины тонких пленок.
4 Таблица экспериментальных данных и кривая зависимости
lg p = f (δ).
Контрольные вопросы
1 Стадии роста тонких пленок.
2 Методы получения тонких пленок.
3 Электропроводность тонких пленок.
4 Методика измерения толщины пленок методом интерференции.
5 Сопротивление квадрата пленки.
[10, с. 480 – 521]
Лаборатории работа № 12
ЭФФЕКТ ПОЛЯ. МДП-СТРУКТУРЫ
Цель работы: экспериментальное изучение "эффекта поля" на примере МДП-структуры.
Приборы и принадлежности: источник высокого напряжения РЕ-1, микроамперметр, источник тока
ЛИПС 1-30, полупроводниковая пластина.
Методические указания
Изменение межатомного потенциала вблизи поверхности твердого тела приводит к появлению в за-
прещенной зоне полупроводника разрешенных дискретных уровней энергий для электронов, располо-
женных в непосредственной близости от поверхности кристалла. Такие уровни получили название по-
верхностных уровней или поверхностных состояний. Заполнение этих уровней приводит к образованию
вблизи поверхности объемного заряда, существенно влияющего на многие свойства полупроводника:
электропроводность, работу выхода, фото-ЭДС и др., а также на параметры приборов.
ЗАРЯЖЕНИЕ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА ВЫЗЫВАЕТ ВОЗНИКНОВЕНИЕ РАЗ-
НОСТИ ПОТЕНЦИАЛОВ МЕЖДУ ПОВЕРХНОСТЬЮ И ОБЪЕМОМ ПОЛУПРОВОДНИКА И,
СЛЕДОВАТЕЛЬНО, ИСКРИВЛЕНИЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ЗОН.
Если на поверхности располагается отрицательный заряд, энергетические зоны изгибаются вверх,
т.к. при перемещении электрона из объема на поверхность его потенциальная энергия увеличивается.
При положительном заряжении поверхности зоны изгибаются вниз.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 26
- 27
- 28
- 29
- 30
- …
- следующая ›
- последняя »
