Физико-химические основы РЭС. Методическое пособие - 30 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

тока зарядки прямоугольной формой, можно записать Q = I
m
t
3
, где I
m
– ток зарядки; t
3
– 0,5 с – время
зарядки.
2 Включить прибор РЕ-1 тумблером "Сеть" на передней панели прибора.
3 Включить источник ЛИПС1-30 и установить напряжение питания моста 10 В.
4 Вращая ручку "Баланс" на верхней панели прибора РЕ-1 сбалансировать мост (добиться нулевого
тока на микроамперметре).
5 Вращая шлиц "Peг. высокого напряжения", установить
начальное значение высокого напряжения на вольтметре прибора.
6 Подать высокое напряжение на МДП-структуру нажатием кнопки "Зарядка" на верхней панели
прибора (на коробке из оргстекла). Одновременно зарегистрировать максимальное отклонение на мик-
роамперметре. Результаты измерения занести в табл. 12.1.
12.1 Результаты измерений поверхностного заряда
Ток зарядки, мкА
U, В
I
1
I
2
I
3
I
4
I
5
I S
X
Q, Кл
C, Ф
7 Подождать, когда напряжение на вольтметре восстановится, и повторить измерения. Произвести
не менее 5 измерений при одном значении высокого напряжения. Результаты занести в табл. 12.1.
8 Изменить значение высокого напряжения и повторить измерения тока заряда для 6 – 7 значений
высокого напряжения U.
9 Рассчитать среднее значение тока и заряд Q по формуле (12.1).
10 Рассчитать значение емкости МДП-структуры по формуле C = Q / U.
11 Построить график вольт-фарадной зависимости С = f (U).
12 Зная, что на электрод подавался положительный потенциал, определить тип полупроводника.
Содержание отчета
1 Схема МДП-структуры.
2 Таблица с измерениями.
3 Вольт-фарадная характеристика МДП-структуры.
4 Тип полупроводника.
Контрольные вопросы
1 В чем заключается эффект поля.
2 Что такое поверхностные состояния?
3 Объяснить принцип работы МДП-структуры.
4 Нарисовать зонную структуру n- или p-полупроводника, на поверхности которого имеется элек-
трический заряд.
[8, с. 250 – 254]
Лабораторная работа № 13
ИЗУЧЕНИЕ p-n-ПЕРЕХОДА
Цель работы: изучение p-n-перехода, ознакомление с работой полупроводникового диода, получение
вольт-амперной характеристики диода.
Приборы и оборудование: источник постоянного тока, полупроводниковый диод, осциллограф, соеди-
нительные провода.

Страницы