Физико-химические основы РЭС - 12 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

θ =
b
/
D
,
где
D –
расстояние между дислокациями в субгранице;
b –
вектор Бюргерса краевой дислокации (для
NaCl
b
=
3,9 ⋅ 10
–10
м, для LiF
b
= 2,83 ⋅ 10
–10
м).
Содержание отчёта
1.
Название и цель работы.
2.
Тип микроскопа, его характеристика, тип кристалла, состав травителя.
3.
Методика определения плотности дислокаций и угла разориентировки субзёрен.
4.
Рисунки скоплений дислокаций и субграниц.
5.
Результаты измерений и вывод о влиянии деформации на плотность дислокаций.
Контрольные вопросы
1.
Классификация дефектов в кристаллах.
2.
Что такое дислокация? Чем отличается винтовая дислокация от краевой? Что такое смешанная
дислокация?
3.
Контур и вектор Бюргерса. Какую симметрию кристалла нарушают дислокации?
4.
Как влияет плотность дислокаций на прочность и пластичность кристаллов?
5.
Классификация границ зёрен.
6.
Дислокационная модель границы субзёрен.
7.
Механизм неконсервативного движения (восхождения) краевой дислокации.
Литература: [4, с. 60 – 93]; [3, с. 297 – 336].
Лабораторная работа 4
ВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ НА МИКРОТВЁРДОСТЬ КРИСТАЛЛОВ
Цель работы
: освоить методику измерения микротвёрдости монокристаллов. Изучить влияние об-
лучения на микротвёрдость кристаллов-диэлектриков.
Приборы и принадлежности
: микротвердомер ПМТ-3, окуляр-микрометр, образцы монокристаллов
с участками, облучёнными различными дозами.
Методические указания
Точечные дефекты в кристалле образуются в процессе роста, пластической деформации или термооб-
работки. Равновесная концентрация вакансий в кристалле растёт с повышением температуры по экспо-
ненциальному закону. Подвергая кристалл закалке, можно создать избыточную концентрацию вакансий в
кристалле, из-за чего резко изменить свойства материала.
Особое место в физике твёрдого тела занимают дефекты, возникающие в кристалле под действием
ионизирующего облучения или частиц высоких энергий – радиационные дефекты. Действие радиации на
кристалл создаёт повышенную неравновесную концентрацию точечных дефектов, а также многие другие
явления, из которых можно перечислить основные:
– смещение электронов и ионизация атомов, а также частиц из их положения равновесия;
– образование продуктов ядерных реакций, а также тепловых клиньев и клиньев смещения.
Все эти нарушения структуры, возникающие в результате облучения, вызывают увеличение твёрдо-
сти, скалывающего напряжения, упругих коэффициентов, прочности (радиационное упрочнение), ок-
рашивание кристалла, изменение коэффициента диффузии и другие свойства.
Электропроводность в полупроводниковых кристаллах под влиянием облучения может измениться
на несколько порядков из-за изменения концентрации и подвижности носителей тока. Первоначальные

Страницы