Физико-химические основы РЭС - 17 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

разделяющую его на области примесной и собственной проводимости, которые отличаются энергией
активации (а значит и углом наклона).
Порядок выполнения работы
1. Установить образец полупроводника в измерительную кассету и поместить в ванну термостата
(рис. 5.4).
Рис. 5.4. Схема установки для изучения зависимости электросопротивления полупроводников от
температуры:
1
– образец полупроводника;
2
– электропечь;
3
– термопара;
4
– омметр
2. Включить омметр и милливольтметр, дать им прогреться в течение 10 – 15 мин. Провести не-
сколько измерений электросопротивления при комнатной температуре, проверить стабильность показа-
ний омметра.
3. Включить нагрев печи и провести измерения электросопротивления при температуре от 20 °С до
120 °С через 5 °С. Данные занести в табл. 5.1.
5.1. Влияние температуры на электропроводность полупроводника
t
,
°
С
R
,
Ом
T
, К 1/
T
, К
–
1
, Ом
⋅
σ
, (Ом
⋅
м)
–
1
In
σ
4. Пересчитать сопротивление в удельную электропроводность и построить график зависимости In
σ
=
f
(1 /
Т
)
.
5. Методом наименьших квадратов определить ширину запрещённой зоны полупроводника. Срав-
нить со справочными данными. Если на экспериментальном графике выявляется перелом, произвести
отдельно расчёты для температурного интервала собственной и примесной проводимости.
Содержание отчёта
1.
Название и цель работы.
2.
Тип приборов и характеристика полупроводника.
3.
Метод измерения сопротивления, схема установки.
4.
Таблица экспериментальных данных и график зависимости In σ
= =
f
(1 /
Т
)
.
5.
Расчёт ширины запрещённой зоны.
6.
Сравнение полученных данных со справочными.
Контрольные вопросы
1.
Образование энергетических зон: валентная, запрещённая и зона проводимости.
2.
Зонная структура металлов, диэлектриков и полупроводников.
3.
Примесные уровни в полупроводниках. Доноры, акцепторы, собственные полупроводники.
4.
Концентрация носителей зарядов в собственном полупроводнике. Уровень Ферми.
5.
Концентрация носителей заряда и значение уровня Ферми в примесном полупроводнике. Три
температурные области проводимости.
6.
Основные и неосновные, равновесные и неравновесные носители.

Страницы