ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
66
ходится на низком уровне во время передачи данных. После разрешения рабо-
ты интерфейса XMEM доступ к внутренней памяти будет вызывать изменения
на шинах данных и адреса, а также строба ALE. Стробы RD и WR останутся
неизменными. После запрета работы интерфейса внешней памяти используют-
ся обычные установки выводов и направления данных. Рисунок 4.6 иллюстри-
рует, как подключить
внешнее статическое ОЗУ к AVR-микроконтроллеру с
помощью 8-разр. регистра (например, «74×573» или аналогичный), который пе-
редает данные напрямую при высоком уровне на входе G.
Требования по фиксации адреса. Интерфейс внешней памяти разрабо-
тан с учетом того, что после приложения низкого уровня на вход регистра G
время удержания адреса tH составит до 5 нс. Задержка установки
адреса с входа
D на выход Q (tPD) должна быть учтена при вычислении требования по време-
ни доступа к внешней памяти. Необходимо также учитывать и влияние печат-
ных проводников, которые представляют собой емкостную нагрузку и влияют
на распространение сигналов. Время установки данных перед тем, как G станет
равным 0 (tSU), не должно превышать разности времен начала
формирования
действительного адреса и низкого уровня ALE (tAVLLC).
Рис. 4.6. Подключение внешнего статического ОЗУ к AVR-микроконтроллеру
Подтягивающие резисторы и устройство запоминания состояния
шины. Подтягивающие к плюсу резисторы на линиях AD7:0 могут быть акти-
визированы, если записать единицы в регистр соответствующего порта. Для
снижения потребляемой мощности в режиме сна рекомендуется отключать
подтягивающие резисторы путем записи нуля в регистр порта непосредственно
перед переводом в режим сна.
Интерфейс XMEM также содержит
устройство запоминания состояния
шины на линиях AD7:0. Устройство запоминания состояния шины может быть
программно подключено и отключено. После активизации устройство запоми-
нания состояния шины будет сохранять предыдущее состояние шины AD7:0
при переводе этих линий интерфейсом XMEM в третье состояние.
Временная диаграмма. Микросхемы внешней памяти характеризуются
различными параметрами временных диаграмм. Для удовлетворения этих тре-
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 65
- 66
- 67
- 68
- 69
- …
- следующая ›
- последняя »
