Проектирование СВЧ устройств. Иванов Б.П. - 58 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

58
CTU
БВU
K
K
1
= .
При записи выражений (9) и (10) не учитывались потери в стенках
волновода.
Приравнивая правые части выражений (9) и (11), получаем
вБВU
вБВU
вdd
tgjK
jtgК
ZdthZ
β−
β
−
=γ
1
00
. (12)
Отношение Z
0g
/Z
0в
обратно отношению γ
d
/β
в
, поэтому можно записать
Δβ−
Δ
β
−
⋅
β
−=
γ
γ
вБВU
вБВU
вd
d
tgjK
jK
j
th
1
1
. (13)
Как видно из рис. 5
d
в
−Δ−
λ
=Δ l
2
. (14)
Подставляя (14) в (13), получим
()
[]
}dtgjK{d
)]}d([jtgK{
d
dth
вБВU
вБВUв
d
d
+Δβ+π
+
Δ
β
+
λ
−=
γ
γ
l
l
12
. (15)
Из выражения (15) следует, что для определения значения
d
dth
d
d
γ
γ
требуется измерить толщину образца d, положение минимума стоячей волны в
короткозамкнутом волноводе без диэлектрического образца, а затем с образ-
цом, и коэффициент бегущей волны в волноводе с образцом.
Затем из выражения (16) определить γ
d
и далее ε ' и ε" из выражения (8).
При определении только диэлектрической проницаемости ε' в случае, на-
пример, диэлектриков, применяемых для подложек микросхем СВЧ, которые
имеют малые потери, можно считать ε"=0, α=0, К
БВU
=0.
Выражение (15) принимает вид
()
[]
dtg
dd
dtg
в
в
d
d
+Δβ
π
λ
=
β
β
l
2
, (16)
а выражение (8) также упрощается
d
da
d
γ
π
λ
=
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
λ
−ε
′
22
0
2
0
. (17)

Страницы