Рубрика:
Сопротивление определяется по формуле:
Подставив значение
σ из выражения (7.5) в данную формулу, найдем
(7.6)
где R
0
=l/σ
0
S.
Формула (7.6) лежит в основе одного из методов определения энергии активации полупроводников.
Логарифмируя ее, находим
Запишем это равенство для температур Т
1
и Т
2
, обозначая соответственно сопротивления R
1
и R
2
:
Вычитая равенства, исключим неизвестное R
0
:
Отсюда энергия активации
(7.7)
Методика выполнения работы.
Схема установки для измерения температурной зависимости сопротивления полупроводника
изображена на рис. 19.
Полупроводниковый терморезистор помещен в стеклянную колбу с трансформаторным маслом,
которая может подогреваться на электрической печке. Температура регистрируется термопарой, подключенной
на вход ‘X’ самопишущего потенциометра ПДС – 021М. На вход ‘Y’ подключается
терморезистор.
Потенциометр запишет кривую зависимости сопротивления резистора от температуры. Для вычисления
энергии активации снимите значения R при температурах Т, как указано в табл. 14.
Для расчетов Е
д
по формуле (7.7) возьмите значения R
1,
R
2
попарно при 300и 310, 310 и 320, 320 и 330, 340 и
350 К. Это дает возможность вычислить пять значений Е
д
, которые могут отдичаться в пределах погрешностей
эксперемента.
S
R
11
∗=
σ
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
=
kT
E
RR
d
2
exp
0
kT
E
RR
d
2
lnln
0
+=
kT
E
RR
d
2
lnln
01
+=
kT
E
RR
d
2
lnln
02
+=
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
−=−
21
21
11
2
lnln
TTk
E
RR
d
()
21
21
11
lnln2
TT
RRk
E
d
−
−
=
Сопротивление определяется по формуле:
1 1
R= ∗
σ S
Подставив значение σ из выражения (7.5) в данную формулу, найдем
⎛ E ⎞
R = R0 exp⎜ d ⎟
⎝ 2kT ⎠
(7.6)
где R0=l/σ0S.
Формула (7.6) лежит в основе одного из методов определения энергии активации полупроводников.
Логарифмируя ее, находим
Ed
ln R = ln R0 +
2kT
Запишем это равенство для температур Т1 и Т2, обозначая соответственно сопротивления R1 и R2:
Ed
ln R1 = ln R0 +
2kT
E
ln R2 = ln R0 + d
2kT
Вычитая равенства, исключим неизвестное R0:
Ed ⎛ 1 1 ⎞
ln R1 − ln R2 = ⎜ − ⎟
2k ⎜⎝ T1 T2 ⎟⎠
Отсюда энергия активации
2k (ln R1 − ln R2 )
Ed =
1 1
−
T1 T2
(7.7)
Методика выполнения работы.
Схема установки для измерения температурной зависимости сопротивления полупроводника
изображена на рис. 19.
Полупроводниковый терморезистор помещен в стеклянную колбу с трансформаторным маслом,
которая может подогреваться на электрической печке. Температура регистрируется термопарой, подключенной
на вход X самопишущего потенциометра ПДС 021М. На вход Y подключается терморезистор.
Потенциометр запишет кривую зависимости сопротивления резистора от температуры. Для вычисления
энергии активации снимите значения R при температурах Т, как указано в табл. 14.
Для расчетов Ед по формуле (7.7) возьмите значения R1, R2 попарно при 300и 310, 310 и 320, 320 и 330, 340 и
350 К. Это дает возможность вычислить пять значений Ед , которые могут отдичаться в пределах погрешностей
эксперемента.
