Теоретическая электротехника. Калинин В.Ф - 54 стр.

UptoLike

Составители: 

Рубрика: 

4.3.1. Определить резонансную частоту
0
f , характеристическое сопротивление
ρ
, добротность Q и резонансное со-
противление
0э
Z контура (рис. 4.14), если пФ360=C .
4.3.2. К простому параллельному контуру (рис. 4.14) подключен источник гармонического напряжения, частота которо-
го совпадает с резонансной частотой контура. Параметры источника:
В1
=
E ; кОм120
=
i
R . Определить действующие зна-
чения тока источника, напряжения на контуре, тока емкостной и индуктивной ветвей контура.
4.3.3. Простой параллельный контур имеет следующие параметры:
пФ500
=
C ; 100
=
Q ; срад10
6
0
=ω . Определить
полосу пропускания контура, а также активную и реактивную составляющие сопротивления на частоте
рад/с10007,1
6
.
Рис. 4.14 Рис. 4.15
4.3.4. Простой параллельный контур построен на длину волны
м400
0
=
λ
. Индуктивность контура мкГн200
=
L ,
сопротивление
потерь
Ом10=R . На какой частоте реактивная составляющая сопротивления контура имеет максимальное значение и ем-
костный характер?
4.3.5. Простой параллельный контур подключен к источнику ЭДС с внутренним сопротивлением
кОм50
=
i
R . Пара-
метры контура:
пФ500=C ; 100=Q ; рад/с10
6
0
=ω . Определить эквивалентную добротность и полосу пропускания.
4.3.6. Простой параллельный контур является коллекторной нагрузкой транзистора с выходным сопротивлени-
ем
кОм15=
i
R . Схема должна быть настроена на частоту кГц300
0
=
f и иметь полосу пропускания кГц3
п
=
f . Кроме
того, в контуре должна выделяться максимальная мощность. Найти параметры контура.
4.3.7. Индуктивность катушки параллельного контура
мГн1
=
L , сопротивление потерь Ом10=R . Рассчитать контур
так, чтобы на частоте
рад/с10
6
его сопротивление было активным и равным кОм25
0э
=
Z .
4.3.8. Определить частоты резонансов токов
т0
f , напряжений
н0
f , добротность
Q
, характеристическое сопротивление
ρ
, коэффициент включения p и резонансное сопротивление
0э
Z сложного параллельного контура (рис. 4.15). Параметры
элементов цепи:
мкГн150
1
=L ; мкГн50
2
=
L ;
пФ240=C
; Ом10
1
=
R ; Ом4
2
=
R .
РИС. 4.16
4.3.9. Параллельный контур второго вида (рис. 4.15), настроенный на частоту сигнала, является нагрузкой радиолампы,
имеющей внутреннее сопротивление
кОм10=
i
R . Как следует распределить индуктивности
1
L и
2
L между ветвями для
обеспечения передачи в контур максимальной мощности, если известны
мкГн200
=
L ; пФ100
2
=C ; Ом50=R ?
4.3.10. Сложный параллельный контур (рис. 4.15) подключен к источнику ЭДС с внутренним сопротивлением
кОм100=
i
R . Параметры контура: пФ500=C ; 100
=
Q ; мкГн500
2
=
L ; рад/с10
6
0
=ω . Определить эквивалентную доб-
ротность и полосу пропускания
п
ω .
4.3.11. Вычислить частоты резонансов токов
т0
f , напряжений
н0
f , добротность
Q
, характеристическое сопротивление
ρ
, коэффициент включения
p
и резонансное сопротивление
0э
Z (рис. 4.16). Параметры элементов цепи: мкГн220
=
L ;
пФ48
1
=C ; пФ320
2
=C ; Ом16=R .
L
R
R
i
U
k
R
1
L
1
R
2
R
1
C
1
R
2
C
2