Неразрушающие методы контроля. Каневский И.Н - 62 стр.

      В поле датчика Д1 расположен контрольный образец 1, а в       вается и смещается влево. Напряжение сначала растет, а затем
поле датчика Д2 – контролируемое изделие 2. Если изделие и          уменьшается до значения U ≈ U∞, изменяясь по сплошной кривой.
образец одинакового качества, то мост сбалансирован, через инди-    При размещении датчика Д1 на металле с покрытием известной
катор мА ток не течет. Если изделие отличается от образца, напри-   толщины резистором R3 индикатор прибора градуируют,
мер из-за дефекта, то мост разбалансируется и прибор мА зафикси-    устанавливая соответствующее этой толщине значение.
рует протекающий ток.
      Если датчики Д1 и Д2 неодинаковы, то при помещении в их
поле идентичных изделий будет наблюдаться остаточное напряже-
ние, для устранения которого схема моста усложняется.
      Более совершенная схема дифференциального включения
датчиков показана на рис. 6.11. В этой схеме обмотки датчиков Д1
и Д2 входят в резонансные контуры с переменными емкостями С1
и С2. Эти емкости, а также переменное сопротивление R3 служат
для балансировки схемы и установки мА на нуль, когда магнитные
поля датчиков Д1 Д2 одинаковы. При этом в контурах наступает
резонанс с одинаковыми максимальными напряжениями V1=V2.
Резонансные кривые контуров показаны на рис. 6.11, б. Если дат-
чик Д1 проходит над дефектным участком изделия, его
индуктивность изменится на величину ДL и станет равной L1, а
сопротивление изменится на величину ДR. Добротность первого
контура понизится, и резонансная кривая 1 заменится кривой 1ґ, а
рабочая точка займет положение Lґ 1. Напряжение на первом
контуре упадет и станет равным Vґ1 < V2. Тогда между контурами
возникнет разность потенциалов V2 - Vґ 1 и стрелка индикатора
отклонится в одну сторону. Если дефект появится под датчиком
Д2, то стрелка отклонится в другую сторону.
       Эту же схему можно использовать в измерителях толщины                                            Рис. 6.11. Дифференциальная
диэлектрических покрытий. В этом случае датчик Д2 размещается                                           схема с двумя параллельными
внутри прибора. Рабочая точка измерительного контура выби-                                              резонансными контурами
рается на левой ветви резонансной кривой U(C), когда датчик Д1                                          (пояснение в тексте)
размещен на материале без покрытия (кривая 1, рис. 6.11, в).
Конденсатором С2 схема уравновешивается, и индикатор показы-
вает нулевое значение, если датчик размещен на металле без
покрытия или удален от металла на большое расстояние.                     Чтобы в процессе обнаружения дефектов показания индика-
       С увеличением толщины покрытия растет индуктивность в        тора не зависели от расстояния датчика до контролируемого изде-
измерительном контуре, максимум резонансной кривой увеличи-         лия, необходимо использовать более сложные схемы.

                               122                                                                123