ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Компьютерные технологии проектирования усилителей мощности
телевизионных радиопередатчиков
Карякин В.Л.
38
Зависимость нелинейных искажений
IMD
от коллекторного тока
cq
I
транзистора представлена на рис.2.16. Минимальные искажения соответствуют
току коллектора 0,4 А. В диапазоне изменения коллекторного тока от 0,35 до 0,45
А искажения ниже уровня –60 дБ.
Рисунок 2.16
Зависимость входного комплексного сопротивления транзистора
INININ
jXRZ +=
от частоты при номинальных значениях коллекторного
напряжения и тока представлена на рис.2.17. Активная составляющая входного
Рисунок 2.17
Компьютерные технологии проектирования усилителей мощности телевизионных радиопередатчиков Зависимость нелинейных искажений IMD от коллекторного тока I cq транзистора представлена на рис.2.16. Минимальные искажения соответствуют току коллектора 0,4 А. В диапазоне изменения коллекторного тока от 0,35 до 0,45 А искажения ниже уровня –60 дБ. Рисунок 2.16 Зависимость входного комплексного сопротивления транзистора Z IN = RIN + jX IN от частоты при номинальных значениях коллекторного напряжения и тока представлена на рис.2.17. Активная составляющая входного Рисунок 2.17 Карякин В.Л. 38
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 36
- 37
- 38
- 39
- 40
- …
- следующая ›
- последняя »