Компьютерные технологии проектирования усилителей мощности телевизионных радиопередатчиков. Карякин В.Л. - 39 стр.

UptoLike

Составители: 

Рубрика: 

Компьютерные технологии проектирования усилителей мощности
телевизионных радиопередатчиков
Карякин В.Л.
39
сопротивления
IN
R
изменяется в пределах от 1,0 до 0,8 Ом при изменении
частоты от 400 до 900 МГц. Реактивная составляющая
IN
X
носит емкостной
характер и изменяется при этом в пределах от –3,8 до –9,0 Ом.
Зависимость выходного комплексного сопротивления транзистора
OUTOUTOUT
jXRZ +=
от частоты при номинальных значениях коллекторного
напряжения и тока представлена на рис.2.18. Активная составляющая выходного
сопротивления
OUT
R
изменяется в пределах от 0,8 до 0,9 Ом при изменении
частоты от 400 до 900 МГц. Реактивная составляющая
OUT
X
носит индуктивный
характер и изменяется при этом в пределах от 23 до 15 Ом.
Рисунок 2.18
Транзистор UTV040
Номинальная полезная мощность выходного сигнала 4,0 Вт, режим работы
класс А, номинальное напряжение коллекторного питания 25 В, конструкция
транзистора и его электрические параметры приведены на
рис.2.19.
              Компьютерные технологии проектирования усилителей мощности
                           телевизионных радиопередатчиков

сопротивления RIN изменяется в пределах от 1,0 до 0,8 Ом при изменении

частоты от 400 до 900 МГц. Реактивная составляющая X IN носит емкостной
характер и изменяется при этом в пределах от –3,8 до –9,0 Ом.
   Зависимость     выходного       комплексного       сопротивления        транзистора
Z OUT = ROUT + jX OUT от частоты при номинальных значениях коллекторного
напряжения и тока представлена на рис.2.18. Активная составляющая выходного
сопротивления ROUT изменяется в пределах от 0,8 до 0,9 Ом при изменении

частоты от 400 до 900 МГц. Реактивная составляющая X OUT носит индуктивный
характер и изменяется при этом в пределах от 23 до 15 Ом.




                                      Рисунок 2.18
                               Транзистор UTV040
   Номинальная полезная мощность выходного сигнала 4,0 Вт, режим работы –
класс А, номинальное напряжение коллекторного питания 25 В, конструкция
транзистора и его электрические параметры приведены на
рис.2.19.




                                      Карякин В.Л.                                  39