ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Компьютерные технологии проектирования усилителей мощности
телевизионных радиопередатчиков
Карякин В.Л.
41
Рисунок 2.21
Зависимость нелинейных искажений
IMD
от коллекторного тока
cq
I
транзистора представлена на рис.2.22. Минимальные искажения соответствуют
току коллектора 0,8 А. В диапазоне изменения коллекторного тока от 0,65 до 1,0
А искажения ниже уровня –60 дБ.
Рисунок 2.22
Зависимость входного комплексного сопротивления транзистора
INININ
jXRZ +=
от частоты при номинальных значениях коллекторного
напряжения и тока представлена на рис.2.23. Активная составляющая входного
сопротивления
IN
R
изменяется в пределах от 1,3 до 0,5 Ом при изменении
Компьютерные технологии проектирования усилителей мощности телевизионных радиопередатчиков Рисунок 2.21 Зависимость нелинейных искажений IMD от коллекторного тока I cq транзистора представлена на рис.2.22. Минимальные искажения соответствуют току коллектора 0,8 А. В диапазоне изменения коллекторного тока от 0,65 до 1,0 А искажения ниже уровня –60 дБ. Рисунок 2.22 Зависимость входного комплексного сопротивления транзистора Z IN = RIN + jX IN от частоты при номинальных значениях коллекторного напряжения и тока представлена на рис.2.23. Активная составляющая входного сопротивления RIN изменяется в пределах от 1,3 до 0,5 Ом при изменении Карякин В.Л. 41
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 39
- 40
- 41
- 42
- 43
- …
- следующая ›
- последняя »