ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Компьютерные технологии проектирования усилителей мощности
телевизионных радиопередатчиков
Карякин В.Л.
52
INININ
jXRZ +=
от частоты при номинальных значениях коллекторного
напряжения и тока представлена на рис.2.41. Активная составляющая входного
сопротивления
IN
R
изменяется в пределах от 3 до 23 Ом при изменении частоты
от 400 до 900 МГц. Реактивная составляющая
IN
X
носит индуктивный характер и
изменяется при этом в пределах от 12 до 17 Ом.
Рисунок 2.41
Зависимость выходного комплексного сопротивления транзистора
OUTOUTOUT
jXRZ +=
от частоты при номинальных значениях коллекторного
напряжения и тока представлена на рис.2.42. Активная составляющая выходного
сопротивления
OUT
R
изменяется в пределах от 5 до 3 Ом при изменении частоты
от 400 до 900 МГц.
Компьютерные технологии проектирования усилителей мощности телевизионных радиопередатчиков Z IN = RIN + jX IN от частоты при номинальных значениях коллекторного напряжения и тока представлена на рис.2.41. Активная составляющая входного сопротивления RIN изменяется в пределах от 3 до 23 Ом при изменении частоты от 400 до 900 МГц. Реактивная составляющая X IN носит индуктивный характер и изменяется при этом в пределах от 12 до 17 Ом. Рисунок 2.41 Зависимость выходного комплексного сопротивления транзистора Z OUT = ROUT + jX OUT от частоты при номинальных значениях коллекторного напряжения и тока представлена на рис.2.42. Активная составляющая выходного сопротивления ROUT изменяется в пределах от 5 до 3 Ом при изменении частоты от 400 до 900 МГц. Карякин В.Л. 52
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 50
- 51
- 52
- 53
- 54
- …
- следующая ›
- последняя »