ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Компьютерные технологии проектирования усилителей мощности
телевизионных радиопередатчиков
Карякин В.Л.
54
Рисунок 2.44
Зависимость входного комплексного сопротивления транзистора
INININ
jXRZ +=
от частоты при номинальных значениях коллекторного
напряжения и тока представлена на рис.2.45. Активная составляющая входного
сопротивления
IN
R
изменяется в пределах от 2 до 6 Ом при изменении частоты
от 400 до 900 МГц. Реактивная составляющая
IN
X
носит индуктивный характер и
изменяется при этом в пределах от 7 до 14 Ом.
Рисунок 2.45
Компьютерные технологии проектирования усилителей мощности
телевизионных радиопередатчиков
Рисунок 2.44
Зависимость входного комплексного сопротивления транзистора
Z IN = RIN + jX IN от частоты при номинальных значениях коллекторного
напряжения и тока представлена на рис.2.45. Активная составляющая входного
сопротивления RIN изменяется в пределах от 2 до 6 Ом при изменении частоты
от 400 до 900 МГц. Реактивная составляющая X IN носит индуктивный характер и
изменяется при этом в пределах от 7 до 14 Ом.
Рисунок 2.45
Карякин В.Л. 54
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 52
- 53
- 54
- 55
- 56
- …
- следующая ›
- последняя »
