Технология производства сварных конструкций. Казанцев И.А - 175 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

175
Кристалл 1 с помощью вакуумного захвата 5 подается на основание корпуса
4 (рис. 151, б), и пайка выполняется путем совместного воздействия
температуры, давления и механических колебаний промышленной или
ультразвуковой частоты.
Рис. 150. Элементы интегральной микросхемы
Рис. 151. Схема соединения полупроводникового кристалла
с основанием керамического корпуса:
1 – кристалл; 2 – эвтектика; 3 – золотое покрытие;
4 – основание корпуса; 5 – вакуумный захват
Присоединение электродных выводов выполняют
термокомпрессионной сваркой без расплавления, нагревая зону соединения с
помощью нагревателя или пропусканием тока через инструмент. Используют
две схемы такого процесса. По первой схеме (рис. 152, а) с помощью 
Кристалл 1 с помощью вакуумного захвата 5 подается на основание корпуса
4 (рис. 151, б), и пайка выполняется путем совместного воздействия
температуры, давления и механических колебаний промышленной или
ультразвуковой частоты.




              Рис. 150. Элементы интегральной микросхемы




        Рис. 151. Схема соединения полупроводникового кристалла
                  с основанием керамического корпуса:
            1 – кристалл; 2 – эвтектика; 3 – золотое покрытие;
               4 – основание корпуса; 5 – вакуумный захват


      Присоединение         электродных         выводов          выполняют
термокомпрессионной сваркой без расплавления, нагревая зону соединения с
помощью нагревателя или пропусканием тока через инструмент. Используют
две схемы такого процесса. По первой схеме (рис. 152, а) с помощью

                                   175

Страницы