Технология производства сварных конструкций. Казанцев И.А - 178 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

178
Рис. 155. Схема микросварки при изготовлении пленочных
микросхем:
1 – проводник; 2, 3 – электроды; 4 – слой напыленного
металла; 5 – диэлектрическая подложка
При изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных
схем выполнение операций сварки сопряжено со специфическими
трудностями, связанными с необходимостью точного совмещения
сварочного инструмента с контактной площадкой. Требуемые
микроперемещения обеспечивают путем оснащения сварочных машин
прецизионными координатными столиками.
Одним из путей автоматизации сборки полупроводниковых приборов
и интегральных микросхем является использование ленты-носителя,
служащей не только транспортирующим элементом, но и основой
конструкции прибора. Примером использования такой схемы может служить
автоматизированная линия (рис. 156, а - з), где применение коваровой ленты
с частичным полосчатым золочением дало возможность производить пайку
кристаллов непосредственно на ленту, не применяя дополнительных
таблеток припоя. В процессе шагового перемещения ленты производится ее
перфорация пробивкой фигурных отверстий (рис. 156, а), автоматическая
укладка с подачей из вибробункера кристаллов и присоединение их к ленте
методом ультразвуковой сварки с нагревом столика до 400...420 °С и 
         Рис. 155. Схема микросварки при изготовлении пленочных
                                     микросхем:
             1 – проводник; 2, 3 – электроды; 4 – слой напыленного
                    металла; 5 – диэлектрическая подложка


       При изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных
схем   выполнение     операций       сварки     сопряжено    со   специфическими
трудностями,     связанными      с    необходимостью        точного   совмещения
сварочного      инструмента      с     контактной      площадкой.     Требуемые
микроперемещения обеспечивают путем оснащения сварочных машин
прецизионными координатными столиками.
       Одним из путей автоматизации сборки полупроводниковых приборов
и   интегральных     микросхем       является    использование    ленты-носителя,
служащей не только транспортирующим элементом, но и основой
конструкции прибора. Примером использования такой схемы может служить
автоматизированная линия (рис. 156, а - з), где применение коваровой ленты
с частичным полосчатым золочением дало возможность производить пайку
кристаллов непосредственно на ленту, не применяя дополнительных
таблеток припоя. В процессе шагового перемещения ленты производится ее
перфорация пробивкой фигурных отверстий (рис. 156, а), автоматическая
укладка с подачей из вибробункера кристаллов и присоединение их к ленте
методом ультразвуковой сварки с нагревом столика до 400...420 °С и

                                        178

Страницы