Фотостимулированные явления в твердых телах. Клюев В.Г. - 13 стр.

темноте.        Экспериментальные      точки  также     строятся    в
полулогарифмическом масштабе, как и в предыдущем случае. Аналогично
вычисляется и энергия активации.
      Физическая интерпретация полученной энергии активации
изменения экспериментально измеряемой величины (Iф, Jл, ТСП, ТСЛ и
др.) представляет собой, с одной стороны, очень важную физическую
задачу, т. к. в измеренной энергии отражены:
      – энергии «разрушения» центров;
      – энергии их образования;
      – потенциальные барьеры, которые преодолеваются центрами при их
диффузии и миграции др.
      С другой стороны, такая «расшифровка» зависит от принятой
физической модели и, следовательно, содержит элемент неоднозначности
и требует дополнительных экспериментальных данных.

     1.3.   Методы, позволяющие различить электронный и ионный
            характер изменений свойств кристалла под действием света
      Изменение свойств кристаллов при освещении в принципе может
быть объяснено как протеканием ФХР, т. е. ионными, атомными и даже
кластерными процессами перестройки дефектов, так и чисто
электронными процессами, в результате которых происходит перезарядка
существующих в кристалле центров.
      Рассмотрим ряд примеров такой перезарядки, которая может
имитировать ФХР.
      1) Пусть в кристалле имеются центры прилипания основных
носителей, которые окружены отталкивающим кулоновским барьером.
В этом случае сечение захвата носителя δ на центр возрастает с ростом
температуры. Если освещение производить при достаточно низких
температурах в течение короткого времени Δtз, то центры захвата
останутся незаполненными. А при повышении температуры засветки Тз
они начнут заполняться. В результате на кривых ТСП или ТСЛ появятся
дополнительные пики после предварительной засветки при повышенных
температурах. В этом случае энергия активации процесса появления пиков
представляет собой некоторую эффективную высоту отталкивающего
барьера.
      2) Более сложный случай – когда имеется несколько типов близко
расположенных центров захвата, окруженных общим отталкивающим
кулоновским барьером, который возрастает при заполнении каждого из
них. Если эти центры обладают разными сечениями захвата носителя
заряда δ, то на кривых ТСП или ТСЛ в зависимости от Тз будут
появляться либо одни, либо другие пики, т. к. заполнение одного центра
будет препятствовать заполнению остальных из-за увеличения высоты
барьера. Пусть, например, два центра захвата основных носителей заряда
                                  13