Фотостимулированные явления в твердых телах. Клюев В.Г. - 15 стр.

      1.7. Роль света в ФХР
      Для выяснения роли света используют другой метод создания
неравновесных носителей заряда, например, инжекцию из электродов.
      Так, например, исследование системы уровней в запрещенной зоне в
нелегированных кристаллах CdS до и после инжекции носителей показали,
что те же изменения, которые стимулируются освещением, наблюдаются и
при инжекции из контактов носителей обоих знаков. Это означает, что для
протекания ФХР необходимо появление в разрешенных зонах
неравновесных носителей заряда, которые захватываются существующими
в кристалле дефектами, вызывая их перезарядку.

      1.8. Определение знака носителей заряда, вызывающих ФХР
      С этой целью используют методы возбуждения, позволяющие
создавать в кристалле носители обоих знаков либо вместе, либо раздельно:
      – монополярную инжекцию электронов;
      – эффект электрического поля;
      – двойную инжекцию;
      – свет разного спектрального состава;
      – Х-излучение, γ-излучение, ионизирующие частицы и т. д.
      Такие опыты были проведены, в частности, для кристаллов CdS.
Свободные электроны е– создавались или монополярной инжекцией, или
освещением светом из примесной полосы поглощения, переводящим
электроны из центров рекомбинации в зону проводимости. Дырки е+
создавались освещением ИК светом из области гашения фототока,
который переводит неравновесные дырки, предварительно накопленные на
центрах рекомбинации, в валентную зону. Совместно е– и е+
генерировались двойной инжекцией из электродов или же освещением
светом из области собственного поглощения. При этом оказалось, что для
образования центров захвата электронов необходимо и достаточно
наличие только свободных электронов.

      1.9. Роль центров, участвующих в ФХР
      Для выяснения роли дефектов, участвующих в ФХР, иногда
применяется измерение спектра возбуждения ФХР.
      Спектр возбуждения реакции распада донорно-акцепторных (Д-А)
пар – зависимость изменения интенсивности полосы люминесценции с
λmax = 0.54 мкм (кривая 1 на рис. 1.7), которая связана с рекомбинацией
носителей в ДА-паре, и зависимость интенсивности полосы с
λmax = 0.522 мкм (кривая 2 на рис. 1.7), связанной с захватом свободного
электрона изолированным акцептором от длины волны света,
используемого для ФХР.
      Например, в случае фотостимулированного распада ДА-пар в
кристаллах CdS наиболее эффективно реакция протекает при освещении
                                   15