Фотостимулированные явления в твердых телах. Клюев В.Г. - 16 стр.

зона-зонным светом из области максимумов гашения фотопроводимости,
который переводит дырки с центров рекомбинации в валентную зону.
      Это означает, что для протекания ФХР необходимы свободные
дырки. А они, как известно, захватываются в основном центрами
рекомбинации. То есть перезаряжающимися дефектами являются центры
рекомбинации.


                   ∆Jл, отн. ед.

            1
                                              2



                                                                  λ, мкм
                        0,7        0,9        1,1   1,3   1,5


                                          1
           -1


      Рис. 1.7. Спектр возбуждения реакции распада ДА-пар. Зависимость
изменения интенсивности люминесценции с λ = 540 нм (кривая 1),
связанной с рекомбинацией носителей в ДА-паре, и интенсивности полосы
с λ = 522 нм (кривая 2), связанной с захватом свободного электрона
изолированным акцептором, от длины волны света, используемого для
проведения реакции

     1.10. Методы     выявления     рекомбинационно-стимулированных
           процессов (РСП)
     Одной из наиболее важных проблем, возникающих при изучении
механизмов ФХР, является проблема выявления РСП, т. е. процессов,
состоящих в передаче дефекту энергии электронного возбуждения при
безызлучательном захвате на него носителя заряда. Такие процессы могут
приводить к ускорению диффузии точечных дефектов или облегчать
диссоциацию     комплексов    из-за    дополнительного     возбуждения
колебательных степеней свободы. Остановимся на некоторых методах их
выявления.
     В полупроводниках типа АIIIBV, где наличие рекомбинационно-
стимулированной     диффузии     (РСД)     считалось    установленным
экспериментально, использовали два способа перезарядки: центр
перезаряжался либо за счет термического выброса из него носителя
(например, при изменении напряжения на p-n переходе), либо при
                                     16