ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
18
в) Изменение коэффициента диффузии перезаряженных центров.
Перезарядка центра может приводить к изменению Е
а
его диффузии
вследствие изменения взаимодействия с решеткой при сильной электрон-
фононной связи, т. е. энергия электронного возбуждения превращается в
потенциальную энергию системы кристалл-диффузант, что изменяет
потенциальный барьер для миграции.
Основные случаи миграции, стимулированной перезарядкой,
следующие.
1. Положение потенциального минимума в решетке одно и тоже
для обоих зарядовых состояний, а изменяется только высота барьера.
Тогда в обоих зарядовых состояниях диффузия происходит путем
термически активируемого процесса, но с разными энергиями
активации.
Рис. 1.8. Атермическая диффузия по механизму Оксенгендлера –
Бургуэна: сплошная линия соответствует энергии диффундирующего
центра в исходном зарядовом состоянии в зависимости от его положения
в решетке; штриховая линия – в перезаряженном; 1, 3 – процесс
перезарядки; 2, 4 – смещение центра в новое равновесное положение
2. Наряду с изменением высоты потенциального барьера,
существенно изменяется равновесное положение иона так, что положение
минимума потенциальной энергии системы в основном состоянии
соответствует положению максимума или положению седловой точки в
перезаряженном состоянии. В этом случае возможна атермическая
(безактивационная) диффузия центра, если имеет место циклическое
изменение его зарядового состояния, что может быть, например, при
рекомбинации на нем неравновесных носителей (рис. 1.8). При этом
дефект совершает один диффузионный прыжок при изменении зарядового
состояния (механизм Оксенгендлера – Бургуэна).
2
0
. Рекомбинационно-стимулированный процесс.
РСП состоит в том, что выделяющаяся при многофононной
безызлучательной рекомбинации энергия превращается в энергию
колебаний центра в решетке. Эти колебания могут служить причиной как
ускоренной диффузии эффектов, так и распада сложных центров.
в) Изменение коэффициента диффузии перезаряженных центров. Перезарядка центра может приводить к изменению Еа его диффузии вследствие изменения взаимодействия с решеткой при сильной электрон- фононной связи, т. е. энергия электронного возбуждения превращается в потенциальную энергию системы кристалл-диффузант, что изменяет потенциальный барьер для миграции. Основные случаи миграции, стимулированной перезарядкой, следующие. 1. Положение потенциального минимума в решетке одно и тоже для обоих зарядовых состояний, а изменяется только высота барьера. Тогда в обоих зарядовых состояниях диффузия происходит путем термически активируемого процесса, но с разными энергиями активации. Рис. 1.8. Атермическая диффузия по механизму Оксенгендлера – Бургуэна: сплошная линия соответствует энергии диффундирующего центра в исходном зарядовом состоянии в зависимости от его положения в решетке; штриховая линия – в перезаряженном; 1, 3 – процесс перезарядки; 2, 4 – смещение центра в новое равновесное положение 2. Наряду с изменением высоты потенциального барьера, существенно изменяется равновесное положение иона так, что положение минимума потенциальной энергии системы в основном состоянии соответствует положению максимума или положению седловой точки в перезаряженном состоянии. В этом случае возможна атермическая (безактивационная) диффузия центра, если имеет место циклическое изменение его зарядового состояния, что может быть, например, при рекомбинации на нем неравновесных носителей (рис. 1.8). При этом дефект совершает один диффузионный прыжок при изменении зарядового состояния (механизм Оксенгендлера – Бургуэна). 20. Рекомбинационно-стимулированный процесс. РСП состоит в том, что выделяющаяся при многофононной безызлучательной рекомбинации энергия превращается в энергию колебаний центра в решетке. Эти колебания могут служить причиной как ускоренной диффузии эффектов, так и распада сложных центров. 18
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 16
- 17
- 18
- 19
- 20
- …
- следующая ›
- последняя »