Фотостимулированные явления в твердых телах. Клюев В.Г. - 19 стр.

     Такой механизм был предложен Лангом и Кимерлингом для
объяснения обнаруженного       ими ускорения диффузии некоторых
дефектов, созданных облучением в GaAs в результате инжекции
неравновесных носителей. Было показано, что потенциальный барьер
W, соответствующий равновесной миграции, уменьшается на величину
Ер. Эта величина примерно равна энергии, которая освобождается при
захвате электрона на уровень диффундирующего центра, который
является центром рекомбинации, т. е. на энергию, равную глубине его
уровня в запрещенной зоне (рис. 1.9, а).
     Энергия, выделяющаяся при безызлучательной рекомбинации на
центре, не успевает уйти в решетку, передается центру, превращаясь в
энергию локальных колебаний. Это повышает уровень колебаний
дефекта в потенциальной яме и способствует диффузионному прыжку в
соседнее эквивалентное положение в решетке (рис. 1.9, б). Если
переданная центру энергия достаточно высока, процесс может носить
атермический характер.




                а                                       б
     Рис. 1.9. а – положение уровня диффундирующего центра в
запрещенной зоне; б – кривая, описывающая энергию диффундирующего
центра в зависимости от его положения в решетке

      30. Возбуждение центров.
      Этот механизм может иметь место в случае центров, имеющих
глубокий уровень в запрещенной зоне и возбужденный уровень
(в запрещенной зоне или зоне проводимости), соответствующий,
например, антисвязывающей орбитали.
                                 19